【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种半导体封装件及其制造方法，具体地，涉及一种包括再分布基底和导电柱的半导体封装件及其制造方法。
技术介绍
1、半导体封装件被配置为容易地使用集成电路芯片作为电子产品的部件。通常，半导体封装件包括印刷电路板(pcb)和安装在pcb上并使用接合线或凸块电连接到pcb的半导体芯片。随着电子产业的发展，正在进行各种研究以开发出高度可靠、高度集成和紧凑的半导体封装件。
2、随着电子产业的最新进展，对高性能、高速度和紧凑的电子组件的需求不断增长。随着半导体芯片的集成度的提高，其尺寸逐渐减小。然而，当半导体芯片的尺寸减小时，将许多焊球附接到半导体芯片并处理和测试焊球变得越来越困难。此外，通常需要根据半导体芯片的尺寸使板多样化，这导致其他挑战性问题。响应于这种趋势，正在开发将多个半导体芯片安装在单个封装件中的封装技术。一个示例是扇出晶圆级封装件(fo-wlp)。在fo-wlp中，模制通孔(mtv)用于电连接置于半导体芯片上或下方的再分布图案，并且这可以使安装有半导体芯片的板竖直堆叠。然而，在构造布线结构或散热方面存在困难，特别是...
【技术保护点】
1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一工艺和第二工艺在单个剥离工艺内同时执行，并且
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在剥离工艺中，在完全去除光可成像层之前完全去除牺牲层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，溶解溶液对牺牲层的溶解速率快于溶解溶液对光可成像层的溶解速率。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二工艺之前执行第一工艺，并且
6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一工艺包括对牺牲层执行的热处理工艺或光学处理工艺。
7.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体封装件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，第一工艺和第二工艺在单个剥离工艺内同时执行，并且
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在剥离工艺中，在完全去除光可成像层之前完全去除牺牲层。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，溶解溶液对牺牲层的溶解速率快于溶解溶液对光可成像层的溶解速率。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，在第二工艺之前执行第一工艺，并且
6.根据权利要求5所述的方法，其中，第一工艺包括对牺牲层执行的热处理工艺或光学处理工艺。
7.根据权利要求5所述的方法，其中，牺牲层与种子层之间的粘合强度由于执行第一工艺而被减弱。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，执行第一工艺以在牺牲层中形成气孔。
9.根据权利要求5所述的方法，其中，执行第一工艺以气化牺牲层的至少一部分。
10.根据权...
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