一种新型封装结构的硅探测器元器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种新型封装结构的硅探测器元器件及其制备方法，元器件包括：设置在陶瓷衬底的工作区上的硅晶圆片、贴片、键合金丝、两级电制冷片和若干个插针管脚；所述硅晶圆片、贴片和焊盘附着在所述陶瓷衬底的正面，所述若干个插针管脚分布在所述陶瓷衬底的背面，所述前置放大器印制电路板与所述若干个插针管脚匹配连接，所述两级电制冷片粘接在陶瓷衬底背面的空白处；所述陶瓷衬底的工作区边长小于陶瓷衬底的边长。本发明专利技术解决了现有技术中硅探测器陶瓷衬底无法与测量腔室耦合封装的困难。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅半导体元器件封装，特别是涉及一种新型封装结构的硅探测器元器件及其制备方法。

技术介绍

1、在放射性气体低能电子(10kev～300kev)能谱测量时，市场上现有的测量低能x射线和电子射线的硅半导体元器件均不满足技术需求，不足之处表现在两个方面：一是美国amptek、德国ketek等该领域顶尖公司的si-pin和硅漂移探测器性能最高，但是必须有窗(铍窗、碳窗或其它材料的窗)对其核心部件硅片和电制冷片进行真空封装保护，而这层窗对低能电子(几十kev)穿透过程是致命的，几乎阻挡殆尽，测试实验也证实了这点。即使人为去掉窗，元器件裸露的键合丝的独特布局也使得其与气体测量腔室之间存在封装困难；二是德国firstsensor、日本滨松等无窗si-pin探测器测α、β能谱尚可，但是对低能x射线和电子测量时噪声太大，几乎是无法成谱，没法使用。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种新型封装结构的硅探测器元器件及其制备方法，本专利技术解决了现有技术中硅探测器陶瓷衬底无法与测量腔室耦合本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型封装结构的硅探测器元器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种新型封装结构的硅探测器元器件，其特征在于，所述贴片包括：

3.根据权利要求1所述的一种新型封装结构的硅探测器元器件，其特征在于，硅晶圆片、贴片和焊盘通过键合金丝电气连接。

4.根据权利要求1所述的一种新型封装结构的硅探测器元器件，其特征在于，所述前置放大器印制电路板上设置与所述若干个插针管脚匹配的通孔焊盘。

5.一种新型封装结构的硅探测器元器件的制备方法，其特征在于，包括：

【技术特征摘要】

1.一种新型封装结构的硅探测器元器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种新型封装结构的硅探测器元器件，其特征在于，所述贴片包括：

3.根据权利要求1所述的一种新型封装结构的硅探测器元器件，其特征在于，硅晶圆片、贴片和焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：张海飞，陈伟，陈伟，王泽平，王潇，王立皓，龙斌，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：