刻蚀工艺中去除反应副产物的方法技术

本申请公开了一种刻蚀工艺中去除反应副产物的方法，包括：将晶圆传送至刻蚀机台的刻蚀腔室中并放置于静电卡盘上；对静电卡盘施加电压使晶圆吸附在静电卡盘上；进行刻蚀，在刻蚀过程中使用的反应气体包含氟元素；通入预定气体以分解刻蚀过程中产生的反应副产物，该反应副产物包括氟元素，该预定气体包括氧气；对晶圆进行解吸附使其不再吸附在静电卡盘上。本申请通过在对晶圆进行刻蚀后，通入预定气体以分解刻蚀过程中产生的反应副产物，由于在分解过程中晶圆覆盖在静电卡盘上，从而避免了在进行刻蚀送出晶圆后对刻蚀腔室进行清洗所导致的含氟气体对静电卡盘的侵蚀，进而降低了刻蚀机台进行停机维护或维修的频率，在一定程度上提高了生产效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体器件及集成电路，尤其涉及一种刻蚀工艺中去除反应副产物的方法。

技术介绍

1、刻蚀(etch)是用化学或物理方法有选择地从衬底表面去除不需要的材料的过程，是半导体器件及集成电路制造业中的一道重要工序。

2、然而，在使用刻蚀机台进行作业时，当运行时间较长(通常在1000小时以上)后，存在晶圆解吸附(de-chunk)时间较长和晶圆偏移(active wafer centering，awc)现象上升的问题，在运行更长时间(通常在2000小时以上)后，甚至会出现晶圆解吸附失败和氦气流报警(he-flow alarm)，从而不得不对刻蚀机台进行停机维护或维修，降低了生产效率。

技术实现思路

1、本申请提供了一种刻蚀工艺中去除反应副产物的方法，可以解决相关技术中提供的刻蚀工艺存在的当刻蚀机台运行时间较长后存在晶圆解吸附时间较长和晶圆偏移现象上升的问题，该方法包括：

2、对所述静电卡盘施加电压使所述晶圆吸附在所述静电卡盘上；

3、进行刻蚀，在刻蚀过程中使用的反应气体包含氟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种刻蚀工艺中去除反应副产物的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀过程依次包括主刻蚀工艺和过刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应副产物包括包含氟元素的长链化合物；

4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述对所述晶圆进行解吸附使其不再吸附在静电卡盘上之后，还包括：

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在刻蚀过程中使用的反应气体包括四氟化碳。

【技术特征摘要】

1.一种刻蚀工艺中去除反应副产物的方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀过程依次包括主刻蚀工艺和过刻蚀工艺。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应副产物包括包含氟元...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈恺，崔艳雷，冯大贵，余鹏，孙建，杨佳霖，方安琪，吕梅，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：