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本申请公开了一种刻蚀工艺中去除反应副产物的方法，包括：将晶圆传送至刻蚀机台的刻蚀腔室中并放置于静电卡盘上；对静电卡盘施加电压使晶圆吸附在静电卡盘上；进行刻蚀，在刻蚀过程中使用的反应气体包含氟元素；通入预定气体以分解刻蚀过程中产生的反应副产物...
该专利属于华虹半导体（无锡）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体（无锡）有限公司授权不得商用。

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