一种免键合溅射制备SOI片的方法技术

本发明专利技术属于晶圆制备的领域，本发明专利技术针对当前传统制备SOI硅片的过程中存在的“物料成本高、牢固性低、缺陷多、抛光困难、厚度难以控制”等缺点。公开了一种免键合溅射制备SOI的方法，采用磁控溅射设备在带氧化层的硅衬底上沉积致密、单一取向、牢固附着的硅薄膜，构造高质量的SOI硅片。本发明专利技术的优点在于：物料成本低、无需键合、附着牢固、无需减薄抛光、安全无污染、厚度易于控制。通过本发明专利技术制备的SOI硅片更容易控制生长出来的硅片的电学特性，如生成界面效应优良的低浓度掺杂PN结，在后续芯片制造中可起到优化击穿电压、降低闩锁效应等等目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体纳米材料薄膜制备和集成电路工艺领域，尤其涉及一种免键合溅射制备soi片的方法。

技术介绍

1、绝缘体上硅(s i l i con on i nsu l ator,soi)是一种代表性的高端硅基材料，即绝缘体上的单晶硅薄膜，具有寄生电容小、短沟道效应小、集成密度高、衬底噪声低、速度快、低压低功耗、速度快、工艺简单、抗宇宙射线粒子的能力强等优点，可以显著改善器件的某些电学性能，因此得到了广泛的关注和研究。so i适用于耐高压、耐恶劣环境、低功耗、集成度高的芯片上，如射频前端芯片、功率器件、汽车电子芯片、传感器以及星载芯片等。

2、so i硅片的原理比较简单，核心目标是在衬底中间加入一层绝缘层(一般以二氧化硅s io2为主)。soi共有三层结构：底层单晶硅-绝缘层-顶层单晶硅，其中底层硅起支撑作用；顶层硅用于蚀刻电路；氧化层起到保护芯片上的晶体管，减小晶体管的静电电容，加快晶体管的状态切换，提高器件运行速度等作用。

3、so i制备技术可大致分为注氧隔离技术(separat i on by imp l antedoxy本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种免键合溅射制备SOI片的方法，其特征在于：在热氧化硅片上，采用磁控溅射方法沉积薄膜单晶硅在氧化层表面，即可取得高质量的SOI片；所述方法的具体步骤为：

2.根据权利要求1所述的一种免键合溅射制备SOI片的方法，其特征在于：所述步骤2的参数约束条件为：0.01<本底真空*气体流速*溅射功率*工作压强<2.55，有利于硅原子在晶态二氧化硅层上按单晶沉积。

3.根据权利要求1所述的一种免键合溅射制备SOI片的方法，其特征在于：其中硅薄膜厚度在3nm-300μm。

4.根据权利要求1所述的一种免键合溅射制备SOI片的方法，其特征在于：沉积温...

【技术特征摘要】

1.一种免键合溅射制备soi片的方法，其特征在于：在热氧化硅片上，采用磁控溅射方法沉积薄膜单晶硅在氧化层表面，即可取得高质量的soi片；所述方法的具体步骤为：

2.根据权利要求1所述的一种免键合溅射制备soi片的方法，其特征在于：所述步骤2的参数约束条件为：0.01<本底真空*气体流速*溅射功率*工作压强<2.55，有利于硅原子在晶态二氧化硅层上按单晶沉积。

3.根据权利要求1所述的一种免键合溅射制备soi片...

【专利技术属性】
技术研发人员：王静，
申请(专利权)人：江苏晶菲尔德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：