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本发明属于晶圆制备的领域，本发明针对当前传统制备SOI硅片的过程中存在的“物料成本高、牢固性低、缺陷多、抛光困难、厚度难以控制”等缺点。公开了一种免键合溅射制备SOI的方法，采用磁控溅射设备在带氧化层的硅衬底上沉积致密、单一取向、牢固附着的...
该专利属于江苏晶菲尔德半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏晶菲尔德半导体科技有限公司授权不得商用。

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