【技术实现步骤摘要】
本公开涉及发光器件领域，特别涉及一种发光二极管及发光二极管制备方法。
技术介绍
1、发光二极管能够覆盖从紫外到红外的波长范围。当前低分辨率示器市场仍以液晶显示器(liquid crystal display，lcd)为主流，微型发光二极管(micro light emittingdiode，micro led)因为本身的优点在低分辨率显示器市场逐步受到大家的重视。
2、相关技术提供了一种微型发光二极管，包括:第一半导体层、发光层和第二半导体层。微型发光二极管在制造过程中，先制作第一半导体层、发光层和第二半导体层，然后在第一半导体层、发光层和第二半导体层上开设凹槽状的台阶结构(mesa)。该凹槽状的台阶结构制作时，先利用光刻的方式形成光刻胶掩膜层，利用光刻胶掩膜层进行刻蚀形成凹槽状的台阶结构，通过去胶处理除掉光刻胶掩膜层。
3、在上述制作过程中，会出现胶残留在凹槽状的台阶结构里的问题。这样在后续制作金属电极时，会恶化电极和半导体层之间的粘附性，进而导致欧姆接触和可靠性变差。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构(1000)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述台阶面(120)为弧面；
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述台阶面(120)为向所述第一半导体层(101)凹陷的弧面。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述台阶面(120)的倾斜角度为15～30度。
5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：衬底(100)、键合层(104)、反射层(107)和电极结构(10)；
<...【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构(1000)；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述台阶面(120)为弧面；
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述台阶面(120)为向所述第一半导体层(101)凹陷的弧面。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管，其特征在于，所述台阶面(120)的倾斜角度为15～30度。
5.根据权利要求1至3任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：衬底(100)、键合层(104)、反射层(107)和电极结构(10)；
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【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，朱广敏，吴志浩，张威，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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