【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种发光二极管的巨量转移方法、发光器件和显示面板。
技术介绍
1、在新型的显示领域中，mini/micro led被公认为下一代显示技术，不断拓宽显示屏应用边界。mip(micro led in package，微型led封装)的发光器件包括多个像素芯片和电路基板，多个像素芯片间隔排布在电路基板上，且与电路基板上的焊点绑定。
2、相关技术中，通常采用fcoc(flip chip on carrier，倒装芯片载体封装)进行像素芯片的巨量转移。制备fcoc过程中，先要将生长有多个像素芯片的晶圆键合到临时基板上，使用激光将像素芯片从晶圆的衬底上剥离下来，让像素芯片的电极朝向临时基板；然后，将临时基板上的像素芯片键合到载板上，使得像素芯片的电极远离载板，以便后续对fcoc进行激光剥离，实现像素芯片的巨量转移。
3、然而，制备fcoc的过程中，需要对像素芯片进行两次转移，且像素芯片每次剥离过程都需要经过激光照射，而激光照射会对像素芯片的电性造成较大影响，使像素芯片漏电或产生缺陷，影响巨量转移
【技术保护点】
1.一种发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第二胶层(120)的粘性为所述第一胶层(110)的粘性的2至3倍；
3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一胶层(110)中胶粘剂与固化剂的比例为9:1至11:1，所述第二胶层(120)中胶粘剂与固化剂的比例为13:1至15:1，所述第三胶层(130)为非导电胶层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，采用激光剥离的方式将不同像素芯片(20)转移至第一临时衬底(11)的...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的巨量转移方法，其特征在于，所述巨量转移方法包括：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第二胶层(120)的粘性为所述第一胶层(110)的粘性的2至3倍；
3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，所述第一胶层(110)中胶粘剂与固化剂的比例为9:1至11:1，所述第二胶层(120)中胶粘剂与固化剂的比例为13:1至15:1，所述第三胶层(130)为非导电胶层。
4.根据权利要求1至3任一项所述的巨量转移方法，其特征在于，采用激光剥离的方式将不同像素芯片(20)转移至第一临时衬底(11)的第一胶层(110)之前，还包括：
5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其特征在于，采用激光剥离的方式将不同像素芯片(20)转移至第一临时衬底(11)的第一胶层(110)包括：
6.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其特征在于，激光分解所述载板(14)上的...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊自阳，宋玉华，路遥，张威，吴志浩，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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