【技术实现步骤摘要】
本公开涉及光电子制造，特别涉及一种改善转移撕裂的发光二极管及其制备方法。
技术介绍
1、微型发光二极管(micro light emitting diode，简称：micro led)是指边长在10微米至100微米的超小发光二极管，micro led的体积小，可以更密集的设置排列而大幅度提高分辨率，并且具有自发光特性，不论是在高亮度、高对比度、高反应性及省电方面都优于液晶显示。
2、相关技术中，发光二极管通常包括衬底、键合层、外延层和钝化层，键合层和外延层依次层叠在衬底的表面上，钝化层位于所述衬底上且覆盖外延层，以避免外延层漏电。发光二极管制备完成后，通常还会采用激光照射衬底和外延层之间的键合层，以使得外延层与键合层之间的粘附力降低，让外延层能从衬底上脱落。
3、然而，外延层在剥离过程中，同时附着在外延层的侧壁和衬底上的钝化层会被撕扯成碎屑，从而产生碎屑污染的问题，而产生的碎屑会影响后续工艺中发光二极管排列和焊接。
技术实现思路
1、本公开实施例提供了一种改善转移撕...
【技术保护点】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(10)、键合层(20)、外延层(30)和钝化层(40)，所述键合层(20)位于所述衬底(10)上，所述外延层(30)位于所述键合层(20)的远离所述衬底(10)的表面上；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起结构(300)周向环绕所述外延层(30)；或者，
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起结构(300)位于所述外延层(30)的侧壁上靠近所述衬底(10)的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述键合层(20)在所述...
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：衬底(10)、键合层(20)、外延层(30)和钝化层(40)，所述键合层(20)位于所述衬底(10)上，所述外延层(30)位于所述键合层(20)的远离所述衬底(10)的表面上；
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起结构(300)周向环绕所述外延层(30)；或者，
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述凸起结构(300)位于所述外延层(30)的侧壁上靠近所述衬底(10)的一侧。
4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述键合层(20)在所述衬底(10)的表面上的正投影位于所述凸起结构(300)在所述衬底(10)的表面上的正投影的外轮廓内。
5.根据权利要求1至4任一项所述的发光二极管，其特征在于，所述外延层(30)包括依次层叠在所述键合层(20)上的第一半导体层(31)、多量...
【专利技术属性】
技术研发人员：兰叶，王江波，朱广敏，吴志浩，张威，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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