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本公开提供了一种改善转移撕裂的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、键合层、外延层和钝化层，所述键合层位于所述衬底上，所述外延层位于所述键合层的远离所述衬底的表面上；所述外延层的侧壁具有凸起结构，所述钝化层...
该专利属于京东方华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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