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本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括:外延结构;外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,第一半导体层、有源层和第二半导体层形成台阶结构;台阶结构的台阶面沿从外延结构的中心到外延结构的边缘的方向倾斜...该专利属于京东方华灿光电(苏州)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过京东方华灿光电(苏州)有限公司授权不得商用。
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本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括:外延结构;外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层,第一半导体层、有源层和第二半导体层形成台阶结构;台阶结构的台阶面沿从外延结构的中心到外延结构的边缘的方向倾斜...