一种控制胶水封装流动的方法技术

技术编号:42386090 阅读:27 留言:0更新日期:2024-08-16 16:13
本发明专利技术公开了一种控制胶水封装流动的方法,包括如下步骤:1)沉积阳极;2)涂胶;3)阳极凹陷曝光;4)显影;5)刻蚀;6)去胶,通过基本的结构设计,通过更改薄膜封装的结构,可以有效的提高产品失效性,具有工艺简单,良率提升明显等特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于所有的面板领域、封装材料的制造工艺领域,尤其涉及一种控制胶水封装流动的方法


技术介绍

1、在日常工业生产中经常会使用点胶装置吐出保护胶封装以保护硅基片焊盘与电路板焊盘连接线,防止连接线氧化及外力触碰损伤,由于保护胶水属于液态,需要热烘干后有膨胀,所以日常中生产作业中点完金线保护胶后胶水会,金线保护胶水封装后会流动接触cg,会造成cg崩裂,造成产品失效报废,cg(英文:cover glass;中文:盖板玻璃;简称:cg)。ocr是显示屏幕的重要组成部分之一;ocr(英文:optical clear resin;中文:光学透明胶水;简称;ocr)。

2、在实现本专利技术的过程中,专利技术人发现现有技术至少存在以下问题:

3、需要通过工装配件点胶针筒内装填胶水,通过气压将针筒内填充的金线保护胶水通过点胶针挤出在焊盘连接线上面,然后将胶水加热后固化形成一层保护层,但在此生产裂片过程中,连接线保护胶水属于液态,使用点胶装置通过针头覆盖焊盘连接线,因保护胶属于液态在固化中无法准确控制流动性,导致线保护胶水会流动到cg造成cg崩裂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种控制胶水封装流动的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第3)步中,对需要做阳极凹陷的区域进行曝光图形化;阳极凹陷曝光和阳极曝光同一步进行或者单独曝光阳极凹陷区。

3.如权利要求2所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第5)步中,根据做出来的阳极凹陷图形,刻蚀出凹坑;阳极凹坑深4-8um,宽度8-20um,阳极凹坑边缘与焊盘距离为200-300um,阳极凹坑边缘与CG之间距离为100-350um。

4.如权利要求3所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第3)步中,阳极凹陷...

【技术特征摘要】

1.一种控制胶水封装流动的方法,其特征在于,包括如下步骤:

2.如权利要求1所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第3)步中,对需要做阳极凹陷的区域进行曝光图形化;阳极凹陷曝光和阳极曝光同一步进行或者单独曝光阳极凹陷区。

3.如权利要求2所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第5)步中,根据做出来的阳极凹陷图形,刻蚀出凹坑;阳极凹坑深4-8um,宽度8-20um,阳极凹坑边缘与焊盘距离为200-300um,阳极凹坑边缘与cg之间距离为100-350um。

4.如权利要求3所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第3)步中,阳极凹陷曝光能量50-500mj,焦距-0.5~0.5。

5.如权利要求4所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第5)步中,阳极凹陷刻蚀工艺为:压力5-100毫托,温度20-100℃,上电极功率100-3000w,下电极功率100-1000w,使用bcl3、cl2、cf4、sf6、chf3、ar、o2一种或几种混合气体,气体流量5-500sccm,时间10-1000s。

6.如权利要求5所述的控制胶水封装流动的方法,其特征在于,上述第1)步中,在硅基板上沉积金属阳极,金属阳极材质包括ti、al、tin、i...

【专利技术属性】
技术研发人员:岳小帅吕迅冯军龙祖伟刘胜芳
申请(专利权)人:安徽熙泰智能科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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