【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开的各方面整体涉及参考电压发生器，并且具体地，涉及基于场效应晶体管(fet)的阈值电压差的参考电压发生器。
技术介绍
1、参考电压发生器用于多种电路(诸如模拟电路)中，以在宽温度范围内提供基本与温度无关的参考电压。过去，参考电压发生器主要被设计为带隙电压发生器，该带隙电压发生器通过平衡并组合与绝对温度成比例(ptat)的电流和与绝对温度互补(ctat)的电流以产生基本与温度无关的电流，来产生基本与温度无关的参考电压。然后，将通过电阻器路由该与温度无关的电流，以产生该基本与温度无关的参考电压。这种带隙参考电压发生器的精度将取决于ptat和ctat电流的平衡，这实现起来可能困难且复杂。
技术实现思路
1、以下内容呈现了对一个或多个具体实施的简要概括，以便提供对这样的具体实施的基本的理解。该概括不是对全部设想的具体实施的详尽概述，并且不旨在标识全部具体实施的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或全部具体实施的范围。其唯一的目的是以简化的形式介绍一个或多个具体实施的一些概念，作为随后介绍的更详细的
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1.一种参考电压发生器，所述参考电压发生器包括：
2.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器包括：
3.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器包括运算放大器，所述运算放大器包括：
4.根据权利要求3所述的参考电压发生器，所述参考电压发生器还包括第二电阻器，所述第二电阻器耦合在所述第一节点与所述第一FET之间。
5.根据权利要求4所述的参考电压发生器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器的电阻基本相同。
6.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述第一电流源和所述第二电...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种参考电压发生器，所述参考电压发生器包括：
2.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器包括：
3.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器包括运算放大器，所述运算放大器包括：
4.根据权利要求3所述的参考电压发生器，所述参考电压发生器还包括第二电阻器，所述第二电阻器耦合在所述第一节点与所述第一fet之间。
5.根据权利要求4所述的参考电压发生器，其中所述第一电阻器和所述第二电阻器的电阻基本相同。
6.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述第一电流源和所述第二电流源耦合在一起以形成电流镜。
7.根据权利要求6所述的参考电压发生器，其中所述电流镜的电流比是m:n，其中m不同于n。
8.根据权利要求6所述的参考电压发生器，其中所述电流镜的电流比基本上是一比一。
9.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述第一电流源和所述第二电流源分别包括第三fet和第四fet。
10.根据权利要求9所述的参考电压发生器，其中所述第三fet和所述第四fet的栅极耦合在一起，并且耦合到所述第三fet的漏极。
11.根据权利要求9所述的参考电压发生器，其中所述第一fet和所述第二fet中的每一者是n沟道金属氧化物半导体(nmos)fet，并且其中所述第三fet和所述第四fet中的每一者是p沟道金属氧化物半导体(pmos)fet。
12.根据权利要求9所述的参考电压发生器，其中所述第一fet和所述第二fet中的每一者是p沟道金属氧化物半导体(pmos)fet，并且其中所述第三fet和所述第四fet中的每一者是n沟道金属氧化物半导体(nmos)fet。
13.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述栅极电压发生器被配置...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·巴塔，S·李，S·赵，H·王，J·阿布卡刘斯，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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