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本公开的一方面涉及一种参考电压发生器，该参考电压发生器包括：第一场效应晶体管(FET)，该第一场效应晶体管(FET)包括第一阈值电压；第二FET，该第二FET包括不同于该第一阈值电压的第二阈值电压；栅极电压发生器，该栅极电压发生器耦合到该第...
该专利属于高通股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过高通股份有限公司授权不得商用。

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