波导及其制造方法技术

本文描述一种波导，包括：第一区段，所述第一区段被配置成通过非线性光学过程来产生被提供至所述波导的输入端的脉冲辐射的加宽波长光谱；第二区段，所述第二区段包括所述波导的输出端，所述第二区段被配置成展现比所述第一区段更大的群速度色散的绝对值；其中所述第二区段的长度被配置成使所述加宽波长光谱的一个或更多个峰的峰强度减小至少20％。也在本文中描述一种用于制造波导的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及波导，诸如光纤。

技术介绍

1、光刻设备是被构造成将期望的图案涂覆至衬底上的机器。光刻设备可以例如用于制造集成电路(ic)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)处的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影至设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

2、为了将图案投影于衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以在衬底上形成的特征的最小大小。当前在使用中的典型波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。相比于使用(例如)具有193nm的波长的辐射的光刻设备，使用具有在4nm至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(euv)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成更小特征。

3、低k1光刻可以用于处理尺寸小于光刻设备的典型分辨率限制的特征。在这样的过程中，可以将分辨率公式表达为cd＝k1×λ/na，其中，λ是所使用的辐射的波长，na是光刻设备中的投影光学器件的数值孔径，cd是“临界尺寸”(通常是所印制的最小特征大小，但在这种情况下是半节距)，并且k本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种波导，包括：

2.根据权利要求1所述的波导，其中，所述第二区段被配置成展现正常的群速度色散。

3.根据权利要求1或2所述的波导，包括沿所述波导的所述第一区段和所述第二区段轴向延伸的芯部，并且其中所述芯部在所述第二区段中的直径大于所述芯部在所述第一区段中的直径。

4.根据权利要求3所述的波导，其中，所述芯部在所述第二区段中的直径在所述第二区段的所述长度的范围内是恒定的。

5.根据权利要求3所述的波导，其中，所述芯部在所述第二区段中的直径在所述第二区段的至少一部分的范围内随着距所述第一区段的距离增加而增加。

<p>6.根据权利要求...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种波导，包括：

2.根据权利要求1所述的波导，其中，所述第二区段被配置成展现正常的群速度色散。

3.根据权利要求1或2所述的波导，包括沿所述波导的所述第一区段和所述第二区段轴向延伸的芯部，并且其中所述芯部在所述第二区段中的直径大于所述芯部在所述第一区段中的直径。

4.根据权利要求3所述的波导，其中，所述芯部在所述第二区段中的直径在所述第二区段的所述长度的范围内是恒定的。

5.根据权利要求3所述的波导，其中，所述芯部在所述第二区段中的直径在所述第二区段的至少一部分的范围内随着距所述第一区段的距离增加而增加。

6.根据权利要求3至5中的任一项所述的波导，还包括围绕在所述第一区段中的所述芯部的多个反谐振元件；

7.根据权利要求3至5中的任一项所述的波导，还包括围绕在所述第一区段中的所述芯部的多个反谐振元件，并且其中所述第二区段被设置成不具有任何反谐振元件。

8.根据前述权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·J·H·布鲁斯阿德，J·R·K·科勒，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：