【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造领域，具体而言，涉及一种基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法。
技术介绍
1、目前市面上的半导体结构为了提升射频和漏电流失效的性能，需要在去除半导体结构的阻挡层的过程中，在快速热退火之前去除在炉管中生长的背面氮化硅层，单纯的进行溶液法将氮化硅层刻蚀去除会影响到用于提升半导体结构应力沉积的氮化硅层，目前大多数半导体结构生产采用背面刻蚀机去除半导体结构背面的氮化硅层，该方法费用较高，提高了半导体结构的制作成本。
技术实现思路
1、本申请提供一种基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法，以解决相关技术中半导体结构在去除基体背面绝缘层的过程中产生较高成本的问题。
2、根据本申请的一个方面，提供了一种基体的背面处理方法，包括以下步骤：提供基体，基体的一侧依次具有半导体结构和阻挡层，基体的另一侧具有第一绝缘层；采用第一湿法刻蚀工艺去除第一绝缘层和部分阻挡层，第一湿法刻蚀工艺对第一绝缘层和阻挡层具有第一刻蚀选择比，第一刻蚀选择比大于35：1。
3、可选地，...
【技术保护点】
1.一种基体的背面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述阻挡层包括氧化硅，所述第一绝缘层包括氮化硅。
3.根据权利要求2所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺中采用的刻蚀剂包括磷酸。
4.根据权利要求1所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述第一刻蚀选择比为(40～50)：1。
5.根据权利要求3所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺中采用的刻蚀剂的体积分数为50％～85％。
6.根据权利要求1至4中任一项所...
【技术特征摘要】
1.一种基体的背面处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述阻挡层包括氧化硅，所述第一绝缘层包括氮化硅。
3.根据权利要求2所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺中采用的刻蚀剂包括磷酸。
4.根据权利要求1所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述第一刻蚀选择比为(40～50)：1。
5.根据权利要求3所述的基体的背面处理方法，其特征在于，所述第一湿法刻蚀工艺中采用的刻蚀剂的体积分数为50％～85％。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的基体的背面处理方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：封贻杰，李万发，陈野，丁超，张京晶，
申请(专利权)人：江苏卓胜微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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