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本申请公开了一种基体的背面处理方法和半导体器件的形成方法。该基体的背面处理方法包括以下步骤：提供基体，基体的一侧依次具有半导体结构和阻挡层，基体的另一侧具有第一绝缘层；采用第一湿法刻蚀工艺去除第一绝缘层和部分阻挡层，第一湿法刻蚀工艺对第一绝...
该专利属于江苏卓胜微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏卓胜微电子股份有限公司授权不得商用。

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