【技术实现步骤摘要】
本公开总体涉及用于形成电子器件的方法和系统。更具体地，本公开涉及适于在衬底处理期间沉积和形成膜的方法和系统。
技术介绍
1、气相反应器比如化学气相沉积(cvd)反应器等可用于多种应用，包括沉积材料以在衬底上形成膜。例如，气相反应器可用于在衬底上沉积金属层以形成器件，例如半导体器件、平板显示器件、光伏器件、微机电系统(mems)等。
2、典型的反应器系统包括包含反应室的反应器、流体联接到反应室的一个或多个前体和/或反应物气体源、流体联接到反应室的一个或多个载气和/或第三气体源、向反应室输送气体(例如前体/反应物气体和/或载气/吹扫气体)的气体注入系统、保持和加热衬底的基座以及流体联接到反应室的排放源。
3、在沉积期间，例如cvd、原子层沉积(ald)和cvd/ald混合法，通常需要控制膜性质，例如薄沉积膜的膜厚度不均匀性。虽然已经开发了一些在衬底上沉积膜的技术，但这些方法可能导致膜具有不期望的高水平不均匀性和膜性能，例如电阻率。对于典型的方法和系统，这样的控制可能是困难的。因此，需要改进的方法和系统。
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【技术保护点】
1.一种基座组件，包括：
2.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述基座板包括铝、镍合金或陶瓷中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的基座组件，还包括联接到所述基座板的升降机，其中升降机配置为升高和降低基座板。
4.根据权利要求3所述的基座组件，还包括与所述升降机电子通信的控制器，控制器配置为控制升降机的升高和降低。
5.根据权利要求4所述的基座组件，其中，所述基座附件是基座盖，并且所述基座组件还包括设置在所述基座板内的基座凹口。
6.根据权利要求5所述的基座组件，其中，所述基座盖包括配置成接收所述基座凹口
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【技术特征摘要】
1.一种基座组件，包括：
2.根据权利要求1所述的基座组件，其中，所述基座板包括铝、镍合金或陶瓷中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的基座组件，还包括联接到所述基座板的升降机，其中升降机配置为升高和降低基座板。
4.根据权利要求3所述的基座组件，还包括与所述升降机电子通信的控制器，控制器配置为控制升降机的升高和降低。
5.根据权利要求4所述的基座组件，其中，所述基座附件是基座盖，并且所述基座组件还包括设置在所述基座板内的基座凹口。
6.根据权利要求5所述的基座组件，其中，所述基座盖包括配置成接收所述基座凹口的腔。
7.根据权利要求4所述的基座组件，其中，所述基座附件是基座环，并且其中，所述基座板和基座环在所述基座板第一表面的周界处联接在一起。
8.一种反应器系统，包括：
9.根据权利要求8所述的反应器系统，还包括升降机，其联接到所述基座板，用于升高和降低基座板。
10.根据权利要求9所述的反应器系统，包括控制器，其与所述升降机电子通信，以控制所述基座板的升高和降低。
11.根据权利要求10所述的反应器系统，包括所述气体分配装置第一表面和所述基座附件第一表面的电导控制区域之间的可变间隙。
12.根据权利要求11所述的反应器系统，其中，在低电导模式下，...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·L·温克勒，E·C·史蒂文斯，A·米什拉，C·R·伦塞福德，P·马，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：
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