基于电动缸升降晶圆的半导体设备制造技术

本发明专利技术提供一种基于电动缸升降晶圆的半导体设备，包括：腔体、加热器、顶销、顶销盘、自带一体刚性导轨的电动缸、自带上机械限位结构和下机械限位结构的连接支架、自带挡片的连接底座、波纹管以及多个用于监测晶圆升降位置的传感器；加热器位于腔体内，设置有多个贯通孔；顶销盘位于腔体内，且位于加热器下方；波纹管上端与腔体底面及顶销盘连接，下端通过连接底座与电动缸连接；连接支架与腔体底面及电动缸的侧面连接；连接底座的挡片延伸至连接支架的上机械限位结构和下机械限位结构之间；传感器上下间隔设置于连接支架上，连接支架的上机械限位结构、下机械限位结构以及连接底座的挡片对电动缸实现不同位置的限位。本发明专利技术有助于设备小型化。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，特别是涉及一种基于电动缸升降晶圆的半导体设备。

技术介绍

1、化学气相沉积（chemical vapor deposition ，简称cvd）技术是半导体芯片制造中非常重要的工艺，它利用气态物质在晶圆上产生化学反应和传输反应而形成薄膜。为避免晶圆装卸过程中机械手臂和加热器之间发生接触造成加热器表面损伤，晶圆装卸过程中要利用升降机构实现晶圆的升降。现有的cvd设备中，通常用伺服电机和滚珠丝杠模组或是气缸来实现晶圆在工艺腔体内的顶升和下降。无论是伺服电机和滚珠丝杠模组还是气缸装置，体积都比较大，导致占地空间比较大，在拥挤狭窄的cvd设备空间中维修维护都不便。除cvd设备外，其他诸如pvd和干刻等采用类似结构实现晶圆升降的半导体设备都存在同样的问题。

2、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于电动缸升降晶圆的半导体设备，其特征在于，包括：腔体、加热器、顶销、顶销盘、自带一体刚性导轨的电动缸、自带上机械限位结构和下机械限位结构的连接支架、自带挡片的连接底座、波纹管以及多个用于监测晶圆升降位置的传感器；所述加热器位于腔体内，加热器上设置有多个与顶销对应，且供顶销上下升降的贯通孔；所述顶销盘位于腔体内，且位于加热器下方，用于支撑并驱动顶销上下升降；所述波纹管上端与腔体底面及顶销盘连接，下端通过连接底座与电动缸连接；所述连接支架与腔体底面及电动缸的侧面连接；所述连接底座的挡片延伸至连接支架的上机械限位结构和下机械限位结构之间；多个传感器上下间隔设置于连接支架上，连接支架的...

【技术特征摘要】

1.一种基于电动缸升降晶圆的半导体设备，其特征在于，包括：腔体、加热器、顶销、顶销盘、自带一体刚性导轨的电动缸、自带上机械限位结构和下机械限位结构的连接支架、自带挡片的连接底座、波纹管以及多个用于监测晶圆升降位置的传感器；所述加热器位于腔体内，加热器上设置有多个与顶销对应，且供顶销上下升降的贯通孔；所述顶销盘位于腔体内，且位于加热器下方，用于支撑并驱动顶销上下升降；所述波纹管上端与腔体底面及顶销盘连接，下端通过连接底座与电动缸连接；所述连接支架与腔体底面及电动缸的侧面连接；所述连接底座的挡片延伸至连接支架的上机械限位结构和下机械限位结构之间；多个传感器上下间隔设置于连接支架上，连接支架的上机械限位结构、下机械限位结构以及连接底座的挡片对电动缸实现不同位置的限位。

2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述顶销盘为中心具有开孔的陶瓷环形盘。

3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于，所述顶销盘的环形面上具有缺口，正对所述缺口的环形面朝顶销盘的中心方向延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述波纹管上端通过连接螺钉与所述顶销盘连接。

5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于，所述连接支架...

【专利技术属性】
技术研发人员：封拥军，赵美英，宋维聪，
申请(专利权)人：上海陛通半导体能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：