一种化学机械精抛液及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及化学机械抛光技术领域，提供一种化学机械精抛液及其制备方法和应用；采用本发明专利技术的制备方法来制备精抛液，可以获得大颗粒数较少的精抛液，且将该精抛液应用于硅晶圆的化学机械抛光，能够降低晶圆表面缺陷数。所述制备方法包括如下步骤：1）将中间混合液依次进行中间品第一级过滤和中间品第二级过滤，得到中间品；所述中间混合液为包括水、粘度调节剂和pH调节剂的混合物料，且所述中间混合液中没有添加硅溶胶；2）将硅溶胶和所述中间品混合，依次进行精抛液第一级过滤和精抛液第二级过滤，得到所述精抛液。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光（cmp），具体涉及一种化学机械精抛液及其制备方法和应用。

技术介绍

1、硅是第一代半导体材料，其储量丰富、成本低廉，在集成电路和光伏产业中得到广泛应用。在集成电路制造中，化学机械抛光(cmp)用于加工硅片表面，使其具有全局平坦化。随着集成电路特征尺寸的减小和硅片尺寸的增大，对硅片cmp后表面金属杂质和颗粒残留提出了更高的要求。

2、精抛光是制备晶格完整、表面无损伤硅晶圆的最后工序，它成为半导体器件制造技术中至关重要的一步。想要得到表面金属杂质和颗粒残留低的硅晶圆，最重要的是控制精抛液的金属离子和大颗粒数。

3、中国专利申请cn115851138a公开了一种硅片精抛液，在特定含量的高纯氨水存在下，利用单元或多元的有机酸来调控达到终了ph值，可以在一定程度上抑制磨料颗粒的团聚，降低硅片表面颗粒的沾污。中国专利申请cn116554788a公开了一种硅片精抛液，通过加入大分子聚合物，改变硅片表面特性，提高硅片表面亲水性，防止化学机械抛光后磨料颗粒对硅片表面的附着，降低硅片表面的颗粒沾污，降低硅片表面的颗粒缺陷。中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种化学机械精抛液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述滤芯I的孔径为1μm~5μm，且材质为聚偏氟乙烯；

3. 根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述中间品第一级过滤和所述中间品第二级过滤的过滤压差分别≤0.5MPa，过滤速度分别<10 L/min；

4. 根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述中间品第一级过滤和所述中间品第二级过滤的过滤压差分别≤0.3MPa，过滤速度分别<5 L/min；

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，基于所述精...

【技术特征摘要】

1.一种化学机械精抛液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述滤芯i的孔径为1μm~5μm，且材质为聚偏氟乙烯；

3. 根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述中间品第一级过滤和所述中间品第二级过滤的过滤压差分别≤0.5mpa，过滤速度分别<10 l/min；

4. 根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述中间品第一级过滤和所述中间品第二级过滤的过滤压差分别≤0.3mpa，过滤速度分别<5 l/min；

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，基于所述精抛液的总质量，所述粘度调节剂的含量为0.08%~1.5%，所述ph...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐贺，卫旻嵩，卞鹏程，王庆伟，王永东，王瑞芹，李国庆，朱林君，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：