【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及成膜方法、半导体装置的制造方法、成膜装置及程序。
技术介绍
1、作为半导体装置的制造工序中的一个工序，有在处理容器内收容的基板表面上形成氮化膜的工序(例如参照专利文献1、2)。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2013-093551号公报
5、专利文献2：日本特开2017-168786号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、然而，在基板上形成氮化膜时，就连处理容器内亦会形成并附着氮化膜，会因处理容器内所附着的氮化膜的应力而产生膜剥落。
3、本公开的目的在于提供能缓和在处理容器内所附着的膜的应力并能抑制膜产生剥落的技术。
4、解决问题的方法
5、根据本公开的一方式所提供的技术，包括有：
6、(a)通过对处理容器内收容的基板供应第一成膜剂，在上述基板上形成第一氮化膜的工序，以及
7、(b)通过对在(a)中附着于上述处理容器内的上述第一氮化膜供应第二成膜剂，在上述处理容器内所附着的上述第一氮化膜的表面上形成第二氮化膜的工序；
8、其中，当在(a)中形成具拉伸应力的上述第一氮化膜时，在(b)中形成具压缩应力的上述第二氮化膜；当在(a)中形成具压缩应力的上述第一氮化膜时，在(b)中形成具拉伸应力的上述第二氮化膜。
9、专利技术效果
10、根据本公开可缓和在处理容器内所附着的膜的应力并可抑制产生膜剥落。
【技术保护点】
1.一种成膜方法，其具有：
2.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具拉伸应力的所述第一氮化膜时，在(b)中，作为所述第二成膜剂，供应激发为等离子体状态的非活性气体。
3.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具拉伸应力的所述第一氮化膜时，在(b)中，作为所述第二成膜剂，供应原料与激发为等离子体状态的非活性气体。
4.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具拉伸应力的所述第一氮化膜时，在(b)中，作为所述第二成膜剂，供应原料、氮化剂及激发为等离子体状态的非活性气体。
5.如权利要求2所述的成膜方法，其中，在(b)中，使所述第一氮化膜的表面改性，使其表面变化为所述第二氮化膜。
6.如权利要求3或4所述的成膜方法，其中，在(b)中，在所述第一氮化膜表面上沉积所述第二氮化膜。
7.如权利要求2～6中任一项所述的成膜方法，其中，在(a)中，作为所述第一成膜剂，供应原料与氮化剂。
8.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具压缩应力的所述第一氮化膜时，在(b
9.如权利要求8所述的成膜方法，其中，在(b)中，在所述第一氮化膜表面上沉积所述第二氮化膜。
10.如权利要求8或9所述的成膜方法，其中，在(a)中，作为所述第一成膜剂，供应原料与激发为等离子体状态的非活性气体。
11.如权利要求8或9所述的成膜方法，其中，在(a)中，作为所述第一成膜剂，供应原料、氮化剂及激发为等离子体状态的非活性气体。
12.如权利要求4、7、8、11中任一项所述的成膜方法，其中，使所述氮化剂激发成等离子体状态后才供应。
13.如权利要求1～12中任一项所述的成膜方法，其中，每施行1次(a)，便施行(b)。
14.如权利要求1～12中任一项所述的成膜方法，其中，每施行多次(a)，便施行(b)。
15.如权利要求1～14中任一项所述的成膜方法，其中，在所述处理容器内未收容所述基板的情况下实施(b)。
16.如权利要求1～15中任一项所述的成膜方法，其中，
17.如权利要求2～16中任一项所述的成膜方法，其中，所述非活性气体为N2气体与惰性气体中的至少任一种。
18.如权利要求4、7、8、11、12中任一项所述的成膜方法，其中，所述氮化剂是含氮与氢的气体。
19.一种半导体装置的制造方法，其具有：
20.一种成膜装置，其具有：
21.一种程序，其利用计算机使成膜装置执行：
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种成膜方法，其具有：
2.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具拉伸应力的所述第一氮化膜时，在(b)中，作为所述第二成膜剂，供应激发为等离子体状态的非活性气体。
3.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具拉伸应力的所述第一氮化膜时，在(b)中，作为所述第二成膜剂，供应原料与激发为等离子体状态的非活性气体。
4.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具拉伸应力的所述第一氮化膜时，在(b)中，作为所述第二成膜剂，供应原料、氮化剂及激发为等离子体状态的非活性气体。
5.如权利要求2所述的成膜方法，其中，在(b)中，使所述第一氮化膜的表面改性，使其表面变化为所述第二氮化膜。
6.如权利要求3或4所述的成膜方法，其中，在(b)中，在所述第一氮化膜表面上沉积所述第二氮化膜。
7.如权利要求2～6中任一项所述的成膜方法，其中，在(a)中，作为所述第一成膜剂，供应原料与氮化剂。
8.如权利要求1所述的成膜方法，其中，当在(a)中形成具压缩应力的所述第一氮化膜时，在(b)中，作为所述第二成膜剂，供应原料与氮化剂。
9.如权利要求8所述的成膜方法，其中，在(b)中，在所述第一氮化膜表面上沉积所述第二氮化膜。
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