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成膜方法、半导体装置的制造方法、成膜装置及程序制造方法及图纸
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下载成膜方法、半导体装置的制造方法、成膜装置及程序的技术资料
文档序号:42360231
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具有(a)通过对处理容器内收容的基板供应第一成膜剂而在上述基板上形成第一氮化膜的工序以及(b)通过对在(a)中附着于上述处理容器内的上述第一氮化膜供应第二成膜剂而在上述处理容器内所附着的上述第一氮化膜的表面上形成第二氮化膜的工序,当在(a)...
该专利属于株式会社国际电气所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社国际电气授权不得商用。
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