基板处理装置、电极单元、半导体装置的制造方法以及程序制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种技术，具有：处理室，其对基板进行处理；多个第一电极，其设置于处理室的外侧，并与高频电源连接，构成为在上部折回；第二电极，其被赋予基准电位。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及基板处理装置、电极单元、半导体装置的制造方法以及程序。

技术介绍

1、作为半导体装置(器件)的制造工序的一个工序，有时进行如下的基板处理：将基板搬入到基板处理装置的处理室内，向处理室内供给原料气体和反应气体，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或除去各种膜。

2、在形成微细图案的量产器件中，为了抑制杂质扩散、或能够使用有机材料等耐热性低的材料，有时要求低温化。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2007-324477号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、为了解决这样的问题，一般使用等离子体进行基板处理，但有时难以对膜进行均匀处理。

3、本公开提供一种技术，能够进行更均匀的基板处理。

4、用于解决课题的手段

5、根据本公开的一方式，提供一种技术，具有：处理室，其对基板进行处理；多个第一电极，其设置于处理室的外侧，并与高频电源连接，构成为在上部折回；以及第二电极，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，>

10.根据权...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种基板处理装置，其特征在于，具有：

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：竹田刚，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：