【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开关于温度控制方法、半导体装置的制造方法、以及基板处理装置及程序。
技术介绍
1、作为半导体装置的制程的一工序，在晶圆(的后，也称为基板)上进行规定的处理(例如参照专利文献1～3)。在这些文献中，记载了一种控制为对晶圆进行处理的处理温度的技术。近年，对晶圆进行处理的温度有降低倾向。由于在低温下用于温度控制的加热器线材的温度较低，因此主要放出长波长的辐射。有时该长波长的辐射被反应管所吸收，并关联于晶圆的升温速度的降低。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2000-181549号公报
5、专利文献2：国际公开2018-100826号公报
6、专利文献3：日本特开2014-209569号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的问题
2、本公开提供一种可以实现提升低温区域的升温速度的技术。
3、解决问题的技术手段
4、根据本公开的一方式，提供如下技术：一种温度控制方法，具有：...
【技术保护点】
1.一种温度控制方法，具有：处理温度设定工序，控制反应管内的加热和对反应管内的冷却，使配置于所述反应管内的基板的温度成为预先设定的处理温度，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的温度控制方法，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种温度控制方法，具有：处理温度设定工序，控制反应管内的加热和对反应管内的冷却，使配置于所述反应管内的基板的温度成为预先设定的处理温度，其特征在于，
2.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
3.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，
5.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的温度控制方法，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的温度控制方法，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的温度控制方法，其特征在于，
9.根据权利要求2所述的温度控制方法，其特征在于，
10.根据权利要求5所述的温度控制方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：中西坚斗，村田等，上野正昭，山口英人，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。