高压热处理装置以及用于其的气体监测模块制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种高压热处理装置以及用于其的气体监测模块，其中，包括：内部腔室，形成用于容纳待热处理的对象；外部腔室，具备：第一部分及第二部分，相面对设置以限定容纳空间；以及内O型圈及外O型圈，配置于所述第一部分与所述第二部分之间的对应区域，在所述容纳空间容纳所述内部腔室；供气模块，用于以高于大气压的第一压力向所述内部腔室供给用于所述热处理的反应气体，并以相对于所述第一压力设置的所述第二压力向所述外部腔室供给保护气体；监测模块，具备：缓冲通道，位于所述内O型圈和所述外O型圈之间，并以第三压力供给缓冲气体、以及感测单元，被构成为感测与所述缓冲气体相关的环境；以及控制模块，被构成为基于对与所述缓冲气体相关的环境的感测结果，判断从所述容纳空间经由所述内O型圈流向所述缓冲通道的气体是否发生内部泄漏。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及一种用于在高压环境下对对象进行热处理的热处理装置以及用于其的气体监测模块。

技术介绍

1、通常，在半导体制造过程中的离子注入(ion implantation)工艺会在晶片的界面产生损坏。退火(annealing)是通过热处理修复相应晶片的损伤的工艺。除了退火之外，在激活杂质、形成薄膜(cvd)、执行欧姆(ohmic)接触合金工艺时，也对晶片进行热处理。

2、在热处理过程中，对晶片使用气体。气体可以在高压下供给到容纳有晶片的腔室。热处理结束后，用过的气体从腔室中排出。排气后，经热处理的晶片从腔室中取出。然后，新的晶片和气体提供到腔室以用于下次热处理。

3、腔室具有一定水平以上的密封力，使得供应得到的气体不会泄漏到外部。随着持续进行热处理工艺，密封力可能会减弱。由于密封力减弱，腔室内的气体会泄漏到外部。这可能导致热处理效率降低的问题。

技术实现思路

1、技术问题

2、本专利技术的一目的在于，提供一种通过掌握腔室中气体的内部泄漏，可以提前阻断最终的外部泄漏的高压热本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压热处理装置，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的高压热处理装置，其中，所述监测模块还包括缓冲供气管路，连接至所述供气模块，用于向所述缓冲通道供给所述缓冲气体。

3.根据权利要求2所述的高压热处理装置，其中，还包括排气模块，所述排气模块被构成为用于从所述内部腔室和所述外部腔室排放所述反应气体和所述保护气体，

4.根据权利要求3所述的高压热处理装置，其中，所述缓冲排气管路连接于所述缓冲供气管路，

5.根据权利要求4所述的高压热处理装置，其中，所述感测单元包括压力感测器，所述压力感测器连接于所述缓冲供气管路和所述缓冲排气管路中的一个...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种高压热处理装置，其中，包括：

2.根据权利要求1所述的高压热处理装置，其中，所述监测模块还包括缓冲供气管路，连接至所述供气模块，用于向所述缓冲通道供给所述缓冲气体。

3.根据权利要求2所述的高压热处理装置，其中，还包括排气模块，所述排气模块被构成为用于从所述内部腔室和所述外部腔室排放所述反应气体和所述保护气体，

4.根据权利要求3所述的高压热处理装置，其中，所述缓冲排气管路连接于所述缓冲供气管路，

5.根据权利要求4所述的高压热处理装置，其中，所述感测单元包括压力感测器，所述压力感测器连接于所述缓冲供气管路和所述缓冲排气管路中的一个，用于在所述缓冲供气阀和所述缓冲排气阀被关闭的状态下，感测所述缓冲气体的压力变化。

6.根据权利要求3所述的高压热处理装置，其中，所述缓冲排气管路与所述缓冲供气管路独立地形成，

7.根据权利要求6所述的高压热处理装置，其中，所述监测模块还包括压力调整单元，所述压力调整单元配置在所述气体感测器的前流，以将流入所述气体感测器的流动的压力降低至参考压力以下。

8.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：林根荣，
申请(专利权)人：HPSP有限公司，
类型：发明
国别省市：