一种定向结构Si3N4/Al电子封装基片制备方法技术

本发明专利技术公开一种定向结构Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;/Al电子封装基片制备方法，包括如下步骤：(1)在硅质基片坯体的轴向方向进行定向打孔，然后依次进行氮化、烧结处理，完成后得到具有定向孔的Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;基片，该定向孔贯穿基片的轴向。(2)将所述Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;基片的定向孔中置入铝质金属丝进行填充，然后加热进行真空熔渗处理，即得所述定向结构Si<subgt;3</subgt;N<subgt;4</subgt;/Al电子封装基片。本发明专利技术通过在基片坯体的轴向方向进行定向打孔后再将其制备成具有轴向定向孔的基片，然后在其中置入铝质金属丝进行熔渗处理，从而使所述定向孔被铝质金属丝填充，由于铝质金属丝具有高导热特点，且在定向孔的作用下可进行定向导热，使本发明专利技术制备的基片具有径向低导热系数、轴向高导热系数的特点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子封装材料制备，尤其涉及一种定向结构si3n4/al电子封装基片制备方法。

技术介绍

1、随着电子工业的迅猛发展，电子产品越来越向微型化和高度集成化发展，对电子封装材料的性能要求日益增高。si3n4/al复合材料因具有高热导、较高强度和低热膨胀系数等特点，被认为是理想的新一代电子封装材料。claussen采用si3n4烧结预制体通过压力浸渗法制备了si3n4/al复合材料，热导率为50w·m-1·k-1。wang等采用多孔si3n4陶瓷作为增强体，通过压力浸渗al-si熔体得到si3n4/al复合材料，增强体孔隙率为38％，强度为263mpa，复合材料强度达到了562mpa。殷刘彦等采用真空气压溶渗工艺制备si3n4/al复合材料，当氮化硅泡沫陶瓷的气孔率为73.0％时，复合材料的弯曲强度为172.0mpa，热导率为97.917w·m-1·k-1，75～150℃热膨胀系数为15.3×10-6℃-1；chen等通过压力浸渗法制备了si3n4p/2024al复合材料，研究了热膨胀行为，在20～100℃下，复合材料的热膨胀系数为10.4×10-6本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种定向结构Si3N4/Al电子封装基片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的定向结构Si3N4/Al电子封装基片制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述坯体中还包括烧结助剂；可选地，所述烧结助剂为坯体质量的10～13wt.％。

3.根据权利要求2所述的定向结构Si3N4/Al电子封装基片制备方法，其特征在于，所述烧结助剂包括氧化锆、氧化铝、氧化钇中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的定向结构Si3N4/Al电子封装基片制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述定向孔的直径为0.4～1.0mm。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种定向结构si3n4/al电子封装基片制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的定向结构si3n4/al电子封装基片制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述坯体中还包括烧结助剂；可选地，所述烧结助剂为坯体质量的10～13wt.％。

3.根据权利要求2所述的定向结构si3n4/al电子封装基片制备方法，其特征在于，所述烧结助剂包括氧化锆、氧化铝、氧化钇中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的定向结构si3n4/al电子封装基片制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述定向孔的直径为0.4～1.0mm。

5.根据权利要求1所述的定向结构si3n4/al电子封装基片制备方法，其特征在于，步骤(1)中，若干个所述定向孔呈阵列式分布在基片上。

6.根据权利要求5所述的定向结构si3n...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁利东，白建光，黄瑞，刘雷，欧毅，陈世伟，张庚，韩茂武，肖立雁，曹亮，
申请(专利权)人：中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队，
类型：发明
国别省市：