一种高纯碳化硅粉体的制备方法技术

技术编号:40094831 阅读:21 留言:0更新日期:2024-01-23 16:46
本发明专利技术公开了一种高纯碳化硅粉体的制备方法,包括以下步骤:(1)将高纯碳粉和高纯硅粉进行湿法混料,干燥后进行压制,形成混合料坯体;(2)将坯体在真空下升温至1000℃并保温1小时;然后升温至1500~1700℃并保温3小时;然后升温至1900℃并保温2小时;降温至室温即得高纯碳化硅粉体。本发明专利技术的制备方法采用酚醛树脂材质球磨罐、研磨球和干压模具进行湿法混料和干压成型工艺,采用1900℃烧结,可促使生成的β‑SiC转变为α‑SiC,降低残碳量,残余硅将以硅蒸汽形式挥发以提高反应生成碳化硅纯度。利用本发明专利技术的方法制得的碳化硅粉体,纯度99.999%以上,完全满足碳化硅单晶生长需要,可实现大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高纯碳化硅粉体的制备方法,属于高技术陶瓷领域。


技术介绍

1、高纯碳化硅粉体在碳化硅单晶生长过程中发挥着重要作用。目前高纯碳化硅粉体的技术、市场份额基本上由法国圣戈班、日本太平洋等企业占据,因此实现国外卡脖子技术突破,打破国外对国内的技术封锁至关重要。

2、高纯sic粉体的制备方法主要是固相合成,该方法以高纯碳粉和高纯硅粉为起始原料,通过固相烧结工艺获得sic多晶源粉。然而固相烧结工艺存在诸多问题,导致碳化硅高纯粉体纯度不高,比如混料过程中引入大量来源于混料罐和磨球的杂质(常用的混料罐多为聚氨酯材质,混料球有氧化锆材质的、氧化铝材质的;对于高纯粉,聚氨酯材质球磨罐和氧化锆或氧化铝材质研磨球使用都会导致杂质引入,降低高纯粉纯度);比如混合料多采用松散堆积,加大了高温硅粉和碳粉间反应距离,导致了较高残碳量,也不利于高纯碳化硅粉体制备;比如高温烧结过程中硅存在一定量挥发,导致系统残碳量较高,降低了碳化硅粉体纯度。


技术实现思路

1、针对上述现有技术,本专利技术提供了一种高纯碳化硅粉体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,所述湿法混料的具体操作为:将高纯碳粉和高纯硅粉置于酚醛树脂材质的球磨罐中,研磨介质采用去离子水,采用酚醛树脂材质的研磨球进行研磨。

3.根据权利要求2所述的高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于:所述研磨时,水料比为0.8:1,质量比;研磨时间为2小时。

4.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,采用酚醛树脂材质的模具进行压制。

5.根据权利要求4所述的高纯碳化硅粉...

【技术特征摘要】

1.一种高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中,所述湿法混料的具体操作为:将高纯碳粉和高纯硅粉置于酚醛树脂材质的球磨罐中,研磨介质采用去离子水,采用酚醛树脂材质的研磨球进行研磨。

3.根据权利要求2所述的高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于:所述研磨时,水料比为0.8:1,质量比;研磨时间为2小时。

4.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备方法,其特征在于:所...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁利东白建光黄瑞欧毅刘雷宋海龙韩茂武肖立雁杨杰张庚梁旺东
申请(专利权)人:中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队
类型:发明
国别省市:

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