【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高纯碳化硅粉体的制备工艺，属于高技术陶瓷领域。
技术介绍
1、高纯碳化硅粉体是制备碳化硅单晶和sic电子陶瓷的主要原料。高纯sic粉体的制备方法有acheson法、自蔓延高温合成法、化学气相沉积法、等离子体法、溶胶-凝胶法和聚合物热分解法等。应用最多的是固相acheson法，但这类方法制备过程中引入杂质较多，碳残余量也较高，导致产品纯度不高，无法达到使用要求。现有技术中，刘光亮等人将碳化硅原料松散堆积至坩埚内，利用坩埚内部轴向温差引起的物质沿着轴向传递特性，重烧结制备得到了纯碳化硅陶瓷。戴佩赟等人利用坩埚底部高温促使底部碳化硅分解产生大量挥发性气体，沉积于坩埚盖上得到了致密纯碳化硅陶瓷。刘光亮、刘波波等人采用氮化硅作为造孔剂制备得到了纯定向多孔sic陶瓷，氮化硅作为造孔剂提供了大量硅源，有效补充了多孔陶瓷中sic分解导致残余碳含量过高。但这些方法得到的碳化硅粉体的纯度仍然不够理想。
技术实现思路
1、针对上述现有技术，本专利技术提供了一种高纯碳化硅粉体的制备工艺
<...【技术保护点】
1.一种高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于：所述步骤(1)中，所述湿法混料的具体操作为：将高纯碳粉和高纯硅粉置于酚醛树脂材质的球磨罐中，研磨介质采用去离子水，采用酚醛树脂材质的研磨球进行研磨。
3.根据权利要求2所述的高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于：所述研磨时，水料比为0.8:1，质量比；研磨时间为2小时。
4.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于：进一步地，所述步骤(1)中，采用酚醛树脂材质的模具进行压制。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于：所述步骤(1)中，所述湿法混料的具体操作为：将高纯碳粉和高纯硅粉置于酚醛树脂材质的球磨罐中，研磨介质采用去离子水，采用酚醛树脂材质的研磨球进行研磨。
3.根据权利要求2所述的高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于：所述研磨时，水料比为0.8:1，质量比；研磨时间为2小时。
4.根据权利要求1所述的高纯碳化硅粉体的制备工艺，其特征在于：进一步地，所述步骤(1)中，采用酚醛树脂材质的模具进行压制。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁利东，白建光，黄瑞，欧毅，刘雷，宋海龙，韩茂武，肖立雁，杨杰，曹亮，张庚，徐海锋，
申请(专利权)人：中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队，
类型：发明
国别省市：
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