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本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备工艺,包括以下步骤:(1)将高纯碳粉和高纯硅粉进行湿法混料,干燥后进行压制,形成坯体;(2)将两个坯体上下叠加放置于电磁感应炉的石墨坩埚中,真空下升温至1450℃并保温2小时,然后升温至1600℃并保温2...该专利属于中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队所有,仅供学习研究参考,未经过中国建筑材料工业地质勘查中心宁夏总队授权不得商用。
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本发明公开了一种高纯碳化硅粉体的制备工艺,包括以下步骤:(1)将高纯碳粉和高纯硅粉进行湿法混料,干燥后进行压制,形成坯体;(2)将两个坯体上下叠加放置于电磁感应炉的石墨坩埚中,真空下升温至1450℃并保温2小时,然后升温至1600℃并保温2...