半导体器件及其制备方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制备方法。该制备方法包括：提供半导体基底，半导体基底设置有柱状结构；在半导体基底上形成电容的第一极板，第一极板的至少部分设于柱状结构的侧面；在第一极板上形成绝缘层；在绝缘层背离第一极板的一侧表面形成电容的第二极板，第二极板与第一极板的至少部分沿第一方向彼此相对；第一方向与半导体基底的厚度方向相交。该方法提高了二维平面内，单位面积内第一极板和第二极板的相对面积，从而在绝缘层的厚度和介电常数一定的情况下，可以通过改变第一极板和第二极板在柱状结构的侧面上的面积，进而改变单位面积内MIM电容值的大小，使得该MIM电容值的大小不再受限于半导体器件设计时的二维平面的面积局限。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、金属-绝缘体-金属（metal-insulator-metal) 简称mim，传统的mim电容是一种平面三明治结构，通常由三层组成：上层金属电极、下层金属电极和位于上层电极和下层电极之间的绝缘层。然而，现有mim电容，在介质层厚度和介电材料不变时，mim 电容值无法增大。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体器件及其制备方法，旨在解决现有mim电容，在介质层厚度和介电材料不变时，mim 电容值无法增大。

2、为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种半导体器件的制备方法，该制备方法包括：提供半导体基底，所述半导体基底设置有柱状结构；在所述半导体基底上形成电容的第一极板，所述第一极板的至少部分设于所述柱状结构的侧面；在所述第一极板上形成绝缘层；在所述绝缘层背离所述第一极板的一侧表面形成所述电容的第二极板，所述第二极板与所述第一极板的至少部分沿第一方向彼此相对；所述第一方向与所述半导体基底的厚度方向相交。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述提供半导体基底，所述半导体基底设置有柱状结构的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体基底上形成电容的第一极板的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层背离所述第一极板的一侧表面形成所述电容的第二...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述提供半导体基底，所述半导体基底设置有柱状结构的步骤，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述半导体基底上形成电容的第一极板的步骤，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述在所述绝缘层背离...

【专利技术属性】
技术研发人员：江德斐，王琼，庞浩，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：