一种化学机械精抛液、其应用和一种化学机械抛光方法技术

本发明专利技术提供了一种化学机械精抛液，其为包含以下成分的水溶液：2～12 wt.%的高纯磨料、0.01～0.5 wt.%的聚乙烯吡咯烷酮、0.001～0.08 wt.%的烷基糖苷类表面活性剂以及0.1～1 wt.%的甘油衍生物。本发明专利技术还提供了所述化学机械精抛液的应用以及一种硅晶圆的化学机械抛光方法。本发明专利技术提供的抛光液通过各成分协同作用，能够获得抛光后光洁的硅晶圆表面状态，可以有效降低LPD缺陷、粗糙度和雾度值。而且，本发明专利技术的抛光液成分数量少，经济性好且制备方法简便，工艺易控，非常具有工业实用价值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光（cmp），具体涉及一种化学机械精抛液及其应用，还涉及一种硅晶圆的化学机械抛光方法。

技术介绍

1、当前，半导体产业发展迅速，材料更新迭代，涌现出了以gaas、inp为代表的第二代半导体材料和以gan、sic为代表的第三代半导体材料。然而，第一代的硅基半导体材料仍然是产量最大、应用最广的半导体材料，90%以上的半导体产品是使用硅基材料制造的。硅晶圆（也称为“硅晶片”）是生产半导体产品的关键原料，硅晶圆的生产和加工是半导体上游产业链中的关键环节。

2、硅晶圆的加工工艺流程一般为：单晶硅锭——割断——定向——滚磨——腐蚀——切片——磨片——倒角——化学减薄——抛光——清洗——检测。其中，抛光过程可以修复前面过程中的硅晶圆表面的损伤、缺陷，获得满足后续生产的硅晶圆厚度及表面整洁度，是加工过程中至关重要的一步。

3、硅晶圆的抛光一般分为三次，即粗抛、中抛和精抛。粗抛和中抛的目标主要是为了高效快速地去除大量的损伤层，并获得一定的表面整洁度；精抛是硅晶圆加工的最后一步，主要是为了完全去除损伤层，获得极高的表面整洁度。精本文档来自技高网...

【技术保护点】

1. 一种化学机械精抛液，其特征在于，所述化学机械精抛液为包含以下成分的水溶液：2～15 wt.%的高纯磨料、0.01～0.5 wt.%的聚乙烯吡咯烷酮、0.001～0.08 wt.%的烷基糖苷类表面活性剂以及0.1～1 wt.%的甘油衍生物。

2. 根据权利要求1所述的化学机械精抛液，其特征在于，所述化学机械精抛液为包含以下成分的水溶液：5～10 wt.%的高纯磨料、0.1～0.3 wt.%的聚乙烯吡咯烷酮、0.01～0.05 wt.%的烷基糖苷类表面活性剂以及0.2～0.7 wt.%的甘油衍生物。

3. 根据权利要求1或2所述的化学机械精抛液，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1. 一种化学机械精抛液，其特征在于，所述化学机械精抛液为包含以下成分的水溶液：2～15 wt.%的高纯磨料、0.01～0.5 wt.%的聚乙烯吡咯烷酮、0.001～0.08 wt.%的烷基糖苷类表面活性剂以及0.1～1 wt.%的甘油衍生物。

2. 根据权利要求1所述的化学机械精抛液，其特征在于，所述化学机械精抛液为包含以下成分的水溶液：5～10 wt.%的高纯磨料、0.1～0.3 wt.%的聚乙烯吡咯烷酮、0.01～0.05 wt.%的烷基糖苷类表面活性剂以及0.2～0.7 wt.%的甘油衍生物。

3. 根据权利要求1或2所述的化学机械精抛液，其特征在于，所述高纯磨料为二氧化硅、氧化铝、氧化锆中的一种或多种，其中的金属离子含量小于0.1 ppm，二次粒径为30～120 nm。

4.根据权利要求1或2所述的化学机械精抛液，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮的平均分子量为5000～1500000。

5.根据权利要求4所述的化学机械精抛液，其特征在于，所述聚乙烯吡咯烷酮为pvp-k17、pvp-k30、pvp-k60、pvp-k90中的一种或多种。

6.根据权利要求1或2所述的化学机械精抛液，其特征在于，所述烷基糖苷类表面活性剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱林君，卞鹏程，王庆伟，王瑞芹，王永东，徐贺，崔晓坤，钱宣羽，李国庆，
申请(专利权)人：万华化学集团电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：