一种Micro LED芯片、显示模组及显示装置制造方法及图纸

本技术涉及半导体器件技术领域，具体为一种Micro LED芯片、显示模组及显示装置，解决了如何提升Micro LED芯片的机械结构强度的技术问题，其中，Micro LED芯片包括外延层、支撑衬底，外延层包括自下而上依次分布的第一型半导体层、发光层、第二型半导体层，第一型半导体层的背面为出光面，支撑衬底设置于出光面，具有透光效果或颜色转换功能；显示模组由基板、上述Micro LED芯片、驱动单元组成，显示装置由包含上述Micro LED芯片的显示模组拼接组成。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体器件，尤其涉及一种micro led芯片、显示模组及显示装置。

技术介绍

1、mini led即次毫米发光二极管，尺寸范围在50μm~200μm之间，micro led即微型发光二极管，尺寸一般小于30μm，micro led或mini led（即micro/mini led）具有低功耗、高亮度、高可靠性、响应时间短等优点，被广泛应用于智能手机、汽车显示器等显示技术中。

2、常规micro led芯片主要包括外延层、焊接层等，但其材质坚硬、易碎，例如，在后续的芯片拾取等工序中，常需要采用顶针将贴装于蓝膜载板上的芯片顶起，以便于吸附装置的吸盘快速吸附芯片并转移至下一工序中（例如专利号为：201910197436.7，专利名称为：芯片挑拣总成及芯片移动方法），在此过程中，由于缺少了衬底的支撑，micro led芯片极易发生碎裂，降低了产品良品率。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的上述技术问题，本技术提供了一种包含支撑衬底的micro led芯片，该支撑衬底可提升micro led本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Micro LED芯片，其包括外延层，所述外延层包括第一型半导体层(1)、发光层(2)、第二型半导体层(3)，所述发光层(2)、第二型半导体层(3)设置于所述第一型半导体层(1)的正面，所述第一型半导体层(1)的背面为出光面，其特征在于，其还包括支撑衬底(8)，所述支撑衬底(8)设置于所述出光面，所述支撑衬底(8)为具有透光效果和/或颜色转换功能的固化层。

2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述出光面包括上表面、侧表面，所述支撑衬底(8)呈凹槽形，将所述上表面、侧表面完全覆盖。

3.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特...

【技术特征摘要】

1.一种micro led芯片，其包括外延层，所述外延层包括第一型半导体层(1)、发光层(2)、第二型半导体层(3)，所述发光层(2)、第二型半导体层(3)设置于所述第一型半导体层(1)的正面，所述第一型半导体层(1)的背面为出光面，其特征在于，其还包括支撑衬底(8)，所述支撑衬底(8)设置于所述出光面，所述支撑衬底(8)为具有透光效果和/或颜色转换功能的固化层。

2.根据权利要求1所述的micro led芯片，其特征在于，所述出光面包括上表面、侧表面，所述支撑衬底(8)呈凹槽形，将所述上表面、侧表面完全覆盖。

3.根据权利要求1所述的micro led芯片，其特征在于，所述出光面包括上表面、侧表面，所述支撑衬底呈四边形，覆盖于所述上表面或上表面的局部区域。

4.根据权利要求1~3任一项所述的micro led芯片，其特征在于，所述支撑衬底(8)的厚度范围为5μm~150μm。

5.根据权利要求1所述的micro led芯片，其特征在于，其还包括电流扩展层(4)、绝缘层(5)、反射层(6)、倒装焊接层，所述电流扩展层(4)、绝缘层(5)、反射层(6)、倒装焊接层位于所述外延层的上表面，且自下而上依次分布，所述倒装焊接层包括第一电极(71)、第二电极(72)，所述第一电极(71)通过欧姆接触层(106)与所述第一型半导体层(1)电连接，所述第二电极(72)通过所述电流扩展层(4)与所述第二型半导体层(3)电连接。

6.根据权利要求5所述的micro led芯片，其特征在于，所述第一型半导体层(1)为n型gan层或n型algainp层，所述第二型半导体层(3)为p型gan层或p型algainp层，所述发光层(2)为量子阱层。

7.根据权利要求6所述的micro led芯片，其特征在于，所述反射层(6)为金属反射层或dbr反射层，所述绝缘层(5)为sio2层、sinx层或aln层。

8....

【专利技术属性】
技术研发人员：郭文平，邓群雄，韩奎，王顺荣，
申请(专利权)人：元旭半导体科技无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：