一种氮化铬钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法依次包括：１、沉积技术及靶材成分的确定；２、工件的选择与前处理；３、预轰击工艺的确定；４、沉积工艺的确定；５、真空加热处理；６、工件旋转。按照本发明专利技术所提出的采用铬靶和钛铝合金靶组合靶制备多弧离子镀ＣｒＴｉＡｌＮ氮梯度硬质反应膜的方法，可以获得上述的ＣｒＴｉＡｌＮ氮梯度硬质反应膜，该ＣｒＴｉＡｌＮ氮梯度硬质反应膜的氮含量呈梯度分布，附着力强（≥１５０Ｎ），硬度高（≥ＨＶ４２００）。本发明专利技术降低了镀膜成本，保证了高膜层硬度和高附着力的同时实现，减小膜层的内应力，并具有良好的稳定性和可重复性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种氮梯度硬质反应膜的制备方法，特别是采用组合靶制备多弧离子 镀氮梯度硬质反应膜的方法，比如氮化铬钛铝氮梯度硬质反应膜(以下使用"CrTiAlN"来 代替"氮化铬钛铝")的制备方法。
技术介绍
多弧离子镀是一种设有多个可同时蒸发的阴极弧蒸发源的真空物理沉积技术，具 有沉积速度快、膜层组织致密、附着力强、均匀性好等显著特点。该技术适用于硬质膜及硬 质反应梯度膜的制备，并在氮化钛，氮化钛铝以及更多元的硬质反应膜的制备方面获得成 功应用。氮化钛铝，氮化钛铬，氮化钛锆等钛基硬质反应膜由于硬度高、摩擦系数小、耐热性 强等各自特性而比氮化钛膜更具有开发应用前景，到目前为止，多组元硬质反应梯度膜主 要以钛为基并通过添加铝、锆、铬等元素来实现的。 对于单层的多元硬质反应膜和以钛为基的多组元硬质反应梯度膜而言，主要存在 以下缺点1、多组元合金靶市场上不易购买，常常需要专门熔炼、加工，不仅成本较高，而且 周期较长；2、一般容易出现膜层硬度与膜层附着力之间的矛盾，即硬度与附着力难以同时 满足；3、容易在膜层中产生较大的内应力，影响硬质膜的使用效果和使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种氮化铬钛铝(CrTiAlN)氮梯度硬质反应膜的制备方法， 该方法降低了镀膜成本，保证了高膜层硬度和高附着力的同时实现，减小膜层的内应力，并 具有良好的稳定性和可重复性。 本专利技术的技术方案是一种氮化铬钛铝(CrTiAlN)氮梯度硬质反应膜的制备方法 依次包括 1、沉积技术及靶材成分的确定确定多弧离子镀作为CrTiAlN氮梯度硬质反应膜 的制备技术，选用两个不同方位且成90度配置的弧源同时起弧沉积，其中一个弧源为纯度 99.99%的铬耙，另一个弧源为纯度99.99%的钛铝合金耙，钛铝合金耙的原子比为11 : Al =50 : 50。 2、工件的选择与前处理选择商用硬质合金作为工件材料，在放入镀膜室进行镀 膜前，使用金属洗涤剂对工件进行常规去油、去污处理并进行表面抛光处理，最后分别用丙 酮和乙醇进行超声波清洗，电吹风吹干以备用。 3、预轰击工艺的确定指为获得多弧离子镀CrTiAlN氮梯度硬质反应膜而在沉积 之前进行的离子轰击工艺，当镀膜室背底真空达到10—3帕、温度达到24(TC时充入反应气体 氩气，使镀膜室真空度达到《1. 8X10—1帕，开启两弧源，保持弧电流在55 56安培，进行 离子轰击10 12分钟，轰击偏压从350伏逐渐增加到400伏。 4、沉积工艺的确定指为获得多弧离子镀技术制备CrTiAlN氮梯度硬质反应膜而 采用的沉积工艺，镀膜过程分为七个阶段，第一步，将镀膜室内的氩气压强保持在2. 0 X 10—13帕，钛铝合金耙和纯铬耙的弧电流均置于55 56安培，工件偏压为150 250伏，沉积时 间5分钟；第二步，向镀膜室内通入氮气，使其分压强达到0.5X10—^白，然后调整氩气流量， 使混合气体总压强保持在2. OX 10—1帕，钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55 56安 培，工件偏压为150 250伏，沉积时间IO分钟；第三步，增大氮气流量，使其分压强达到1. OX 10—1帕，然后调整氩气流量，使混合气体总压强保持在2. OX 10—1帕，钛铝合金靶和纯 铬靶的弧电流均置于55 56安培，工件偏压为150 250伏，沉积时间15分钟；第四步， 继续增大氮气流量，使其分压强达到1. 5X10—1帕，然后调整氩气流量，使混合气体总压强 保持在2. 0X10—1帕，钛铝合金耙和纯铬耙的弧电流均置于55 56安培，工件偏压为150 250伏，沉积时间15分钟；第五步，关闭氩气入口，使氩气流量为O，氩气分压为O，并继续增 加氮气流量，使其压强达到2. OX 10—1帕，钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55 56安 培，工件偏压为150 250伏，沉积时间15分钟；第六步，继续增加氮气流量，使其压强达到2. 5X 10—1帕，钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于55 56安培，工件偏压为150 250 伏，沉积时间15分钟；第七步，继续增加氮气流量，使其压强达到3. 0X10—1帕，钛铝合金靶 和纯铬耙的弧电流均置于55 56安培，工件偏压为150 250伏，沉积时间15分钟。 5、真空加热处理包括工件加热和膜层烘烤，工件加热方式采用电热体烘烤加热， 在工件加热时，升温速度保持在3 5°C /分钟，一小时后可以达到24(TC;膜层烘烤是指沉 积过程结束后对所沉积的CrTiAlN氮梯度硬质反应膜进行后加热烘烤，采用小电流进行微 加热10 15分钟，电流逐渐从50安培降低到30安培。 6、工件旋转在工件加热、离子轰击、膜层沉积、膜层烘烤的整个过程中一直保持 工件旋转，转速为4 6转/分钟。 按照本专利技术所提出的采用铬靶和钛铝合金靶组合靶制备多弧离子镀CrTiAlN氮梯度硬质反应膜的方法，可以获得上述的CrTiAlN氮梯度硬质反应膜，该CrTiAlN氮梯度硬质反应膜的氮含量呈梯度分布，附着力强(> 150N)，硬度高(> HV4200)。 同现有技术相比，本专利技术确定了常规通用的多弧离子镀作为ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜的制备技术，确定了商用铬靶和钛铝合金靶作为电弧源，避免了专门冶炼、制备锆钛铝合金靶的局限性，降低了镀膜成本；本专利技术确定了靶材成分、数量及配置方位、确定了商用YT15硬质合金作为工件材料，确定了工件前处理工艺，保证了高膜层硬度和高附着力的同时实现，从而更加有利于提高ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜的耐磨寿命，更适合于在刀具行业的应用；本专利技术确定了 ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜的沉积工艺，从而保证了所制备的ZrTiAlN氮梯度硬质反应膜在膜层生长方向上具有明显的氮含量梯度分布，有利于减小膜层的内应力，并具有良好的稳定性和可重复性。实施例 实施例1在商用YT15硬质合金上制备CrTiAlN氮梯度硬质反应膜，其方法是 1、沉积技术及靶材成分的确定确定多弧离子镀作为CrTiAlN氮梯度硬质反应膜 的制备技术，选用两个不同方位且成90度配置的弧源同时起弧沉积，其中一个弧源为纯度 99.99%的铬耙，另一个弧源为纯度99.99%的钛铝合金耙，钛铝合金耙的原子比为11 : Al =50 : 50。4 2、工件的选择与前处理选择商用YT15硬质合金作为工件材料，在放入镀膜室进 行镀膜前，使用金属洗涤剂对工件进行常规去油、去污处理并进行表面抛光处理，最后分别 用丙酮和乙醇进行超声波清洗，电吹风吹干以备用。 3、预轰击工艺的确定指为获得多弧离子镀CrTiAlN氮梯度硬质反应膜而在沉积 之前进行的离子轰击工艺，当镀膜室背底真空达到10—3帕、温度达到24(TC时充入反应气体 氩气，使镀膜室真空度达到1. 8X 10—1帕，开启两弧源，保持弧电流在55 56安培，进行离 子轰击10分钟，轰击偏压从350伏逐渐增加到400伏。 4、沉积工艺的确定指为获得多弧离子镀技术制备CrTiAlN氮梯度硬质反应膜而 采用的沉积工艺，镀膜过程分为七个阶段，第一步，将镀膜室内的氩气压强保持在2. 0 X 10—1 帕，钛铝合金耙和纯铬耙的弧电流均置于55 56安培，工件偏压为150伏，沉积时间5分 钟；第二步，向镀膜室内通入氮气，本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氮化铬钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法，其特征是：一种氮化铬钛铝氮梯度硬质反应膜的制备方法依次包括（以下使用“ＣｒＴｉＡｌＮ”来代替“氮化铬钛铝”）： （１）、沉积技术及靶材成分的确定：确定多弧离子镀作为ＣｒＴｉＡｌＮ氮梯度硬质反应膜的制备技术，选用两个不同方位且成９０度配置的弧源同时起弧沉积，其中一个弧源为纯度９９．９９％的铬靶，另一个弧源为纯度９９．９９％的钛铝合金靶，钛铝合金靶的原子比为Ｔｉ∶Ａｌ＝５０∶５０； （２）、工件的选择与前处理：选择商用硬质合金培，工件偏压为１５０～２５０伏，沉积时间１５分钟； （５）、真空加热处理：包括工件加热和膜层烘烤，工件加热方式采用电热体烘烤加热，在工件加热时，升温速度保持在３～５℃／分钟，一小时后可以达到２４０℃；膜层烘烤是指沉积过程结束后对所沉积的ＣｒＴｉＡｌＮ氮梯度硬质反应膜进行后加热烘烤，采用小电流进行微加热１０～１５分钟，电流逐渐从５０安培降低到３０安培； （６）、工件旋转：在工件加热、离子轰击、膜层沉积、膜层烘烤的整个过程中一直保持工件旋转，转速为４～６转／分钟。作为工件材料，在放入镀膜室进行镀膜前，使用金属洗涤剂对工件进行常规去油、去污处理并进行表面抛光处理，最后分别用丙酮和乙醇进行超声波清洗，电吹风吹干以备用； （３）、预轰击工艺的确定：指为获得多弧离子镀ＣｒＴｉＡｌＮ氮梯度硬质反应膜而在沉积之前进行的离子轰击工艺，当镀膜室背底真空达到１０↑［－３］帕、温度达到２４０℃时充入反应气体氩气，使镀膜室真空度达到≤１．８×１０↑［－１］帕，开启两弧源，保持弧电流在５５～５６安培，进行离子轰击１０～１２分钟，轰击偏压从３５０伏逐渐增加到４００伏； （４）、沉积工艺的确定：指为获得多弧离子镀技术制备ＣｒＴｉＡｌＮ氮梯度硬质反应膜而采用的沉积工艺，镀膜过程分为七个阶段，第一步，将镀膜室内的氩气压强保持在２．０×１０↑［－１］帕，钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于５５～５６安培，工件偏压为１５０～２５０伏，沉积时间５分钟；第二步，向镀膜室内通入氮气，使其分压强达到０．５×１０↑［－１］帕，然后调整氩气流量，使混合气体总压强保持在２．０×１０↑［－１］帕，钛铝合金靶和纯铬靶的弧电流均置于５５～５６安培，工件偏压为１５０～２５０伏，沉积时间１０分钟；第三步，增大氮气流量，使其分压强达到１．０×１０↑［－１］帕，然后调整氩气流量，使混合气...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张钧，吕会敏，崔贯英，井治，贾恒，娄军，姚正辉，
申请(专利权)人：沈阳大学，
类型：发明
国别省市：89[中国|沈阳]
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