【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种浮栅的制备方法。
技术介绍
1、闪存是一种非易失存储器，其包括多个闪存单元，闪存单元包括浮栅、ono结构层和控制栅，多个闪存单元一般呈阵列排布。目前，由于制备工艺缺陷，普遍在各闪存单元之间会形成漏电失效的问题，例如由于闪存单元制备时浮栅的尺寸较难精准的控制，浮栅的侧壁倾斜且容易产生多晶硅残留，导致相邻闪存单元之间形成漏电路径，影响闪存的可靠性。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种浮栅的制备方法，能够降低漏电的可能性，提高器件的可靠性，并且能够对浮栅的尺寸进行精准控制。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种浮栅的制备方法，包括：
3、提供衬底；
4、形成氮化硅层覆盖所述衬底；
5、刻蚀所述氮化硅层形成若干氮化硅图形，且所述氮化硅图形的侧壁垂直，相邻两个所述氮化硅图形之间暴露出部分所述衬底；
6、形成浮栅材料层覆盖所述氮化硅图形且填充于相邻两个所述氮化硅图形之间暴露的所述衬底上；p>
7、刻蚀去本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种浮栅的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，形成所述浮栅材料层后，所述氮化硅图形的厚度为所述浮栅材料层的厚度的三分之一至三分之二。
3.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，形成若干所述氮化硅图形的步骤包括：
4.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，形成所述浮栅材料层后，位于所述衬底上的浮栅材料层的顶部高于所述氮化硅图形的顶部，且位于所述氮化硅图形上的浮栅材料层的顶部高于位于所述衬底上的浮栅材料层的顶部；以及，通过执行研磨工艺研磨所述浮栅材料层使得所述浮栅材料层的顶
【技术特征摘要】
1.一种浮栅的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，形成所述浮栅材料层后，所述氮化硅图形的厚度为所述浮栅材料层的厚度的三分之一至三分之二。
3.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，形成若干所述氮化硅图形的步骤包括：
4.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，形成所述浮栅材料层后，位于所述衬底上的浮栅材料层的顶部高于所述氮化硅图形的顶部，且位于所述氮化硅图形上的浮栅材料层的顶部高于位于所述衬底上的浮栅材料层的顶部；以及，通过执行研磨工艺研磨所述浮栅材料层使得所述浮栅材料层的顶部齐平。
5.如权利要求1所述的浮栅的制备方法，其特征在于，刻蚀去除所述氮化硅图形上方的浮栅材料层以及部分厚度的所述氮化硅图形的步骤包括：
6.如权利要求5所述的浮栅的制备方法，其特征在于，执...
【专利技术属性】
技术研发人员：王敦年，张星池，谢荣源，林滔天，祝进专，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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