一种GaO-InGaAs紫外-短波红外双波段光电探测器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种GaO‑InGaAs紫外‑短波红外双波段光电探测器及其制备方法。本发明专利技术的探测器的GaO薄膜对深紫外光十分敏感，且对280nm以上的波长具有良好的透射效果，不会影响探测器对于短波红外波段的响应，实现了紫外和短波红外的双波段探测。同时，在材料上实现GaO‑InGaAs集成制备。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电探测器，具体来说涉及一种gao-ingaas紫外-短波红外双波段光电探测器及其制备方法。

技术介绍

1、目标信息的增加可以有效降低探测系统的虚警率，提高其抗干扰能力和可靠性。因此，多波段光电探测器应运而生。在现有技术中，地空导弹的导引头上同时安装了紫外和红外光电探测器，实现了紫外/红外双色制导，能够有效对抗机载有源干扰及红外诱饵弹。在红外激光光谱法(tdlas)气体探测器里增加紫外光电探测器，可以同时实现电晕探测和火焰预警，进一步提高应急措施的有效性。在光通信领域，增加紫外和红外双波段光电探测器，可以实现双波段耦合的加密通信，有效提高特殊通讯的安全性。

2、基于ingaas吸收层的光电探测器主要工作在短波红外波段，在激光通讯、气体探测、卫星遥感、红外制导和红外识别等民用和军用领域具有广阔的应用空间。对ingaas探测器的研发具有一定的战略意义。相较之下，紫外光电探测器的材料和器件仍处于研发阶段。其中，日盲紫外光电探测器可以无需滤光片即可屏蔽波长大于280nm的紫外光、可见光和红外光，免受近地日光背景影响，因此，是紫外探测器的重本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种GaO-InGaAs紫外-短波红外双波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述N型InP缓冲层的厚度为0.5～2μm，掺杂浓度为1×1017/cm3～2×1018/cm3。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述非故意掺杂InGaAs层中In组分为53％，其室温荧光波长大于等于1650nm，其室温截止波长大于等于1700nm；所述非故意掺杂InGaAs吸收层的晶格常数分别与N型InP缓冲层和N型InP衬底的晶格常数匹配，非故意掺杂InGaAs吸收层的厚度为...

【技术特征摘要】

1.一种gao-ingaas紫外-短波红外双波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述n型inp缓冲层的厚度为0.5～2μm，掺杂浓度为1×1017/cm3～2×1018/cm3。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述非故意掺杂ingaas层中in组分为53％，其室温荧光波长大于等于1650nm，其室温截止波长大于等于1700nm；所述非故意掺杂ingaas吸收层的晶格常数分别与n型inp缓冲层和n型inp衬底的晶格常数匹配，非故意掺杂ingaas吸收层的厚度为1～5μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤一中，所述n型inp盖层的厚度为0.5～5μm，掺杂浓度为1×1015/cm3～1×1017/cm3。

5.根据权利要求1所述的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王迪，何林安，弭伟，朱岩，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：