【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于测量气体性质的传感器和用于制造用于测量气体性质的传感器的方法。
技术介绍
1、对于减少石油的消耗和转向使用绿色能源的需求日益增加。例如，由风力涡轮机产生的氢被认为是用于汽车应用的可能的绿色燃料。
2、可能需要传感器来检测任何泄漏的氢气以避免形成氢氧根。
3、de102004033597a1中公开了一种在室温下操作的高灵敏度氢传感器。然而，汽车可以在远低于和高于室温的温度下运行。
4、在de102020134366a1中公开了另一种用于测量气体性质的传感器。用于测量气体性质、特别是气体成分，更特别是氢水平的传感器包括半导体管芯，其中半导体管芯包括参考腔和测量腔。参考传感器元件布置在参考腔中，测量传感器元件布置在测量腔中。参考腔相对于环境气体密封，测量腔与环境气体流体连接。流体连接可以涉及允许液体和/或气体通过的连接。例如，可以用允许气体扩散到测量腔中的膜来覆盖参考腔。
技术实现思路
1、可能需要一种更易于制造的用于汽车应用的用于测量气体性质的传感器以及一种用于制造用于测量气体性质的一个或多个传感器的相应方法。
2、示例公开了一种用于测量气体性质的传感器、特别是用于测量气体成分，更特别是氢水平的传感器，其中传感器包括半导体管芯，其中半导体管芯包括测量腔，其中测量传感器元件布置在测量腔中，其中半导体管芯包括接触焊盘，其中半导体管芯包括掩埋导体，其中掩埋导体将测量传感器元件电连接到接触焊盘，其中半导体管芯的导电接合层围绕测量腔以
3、此外，示例公开了一种用于制造一个或多个用于测量气体性质的传感器的方法，传感器特别是用于测量气体成分，特别是氢气水平，其中该方法包括：提供具有正面和背面的半导体晶片衬底；在所述半导体衬底的正面上提供第一介电层；在所述第一介电层上提供掩埋导体；在第一介质层和埋置导体上提供第二介质层，仅部分覆盖埋置导体；提供半导体层；在所述半导体层上提供掩模，特别是硬掩模，在所述半导体晶片衬底的背面中的测量腔和可选的参考腔处蚀刻以形成膜；通过蚀刻，由部分膜形成测量传感器元件和可选的参考传感器元件，并通过蚀刻由半导体层形成围绕测量腔的导电接合层。
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1.一种用于测量气体性质的传感器(1600)、特别是用于测量气体成分、更特别是氢水平的传感器(1600)，
2.根据权利要求1所述的传感器(1700)，
3.根据权利要求1或2所述的传感器(1600)，
4.根据权利要求3所述的传感器(1600)，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器(1600)，
6.根据权利要求5所述的传感器(1600)，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的传感器(1600)，
8.根据权利要求7所述的传感器(1600)，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的传感器(1600)，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的传感器(1600)，
11.根据权利要求1至10中任一项所述的传感器(1600)，
12.根据权利要求1至11中任一项所述的传感器(1600)，其中所述半导体管芯包括集成电路，并且其中所述测量传感器元件(1322)和/或所述参考传感器元件是所述集成电路的一部分。
13.根据权利要求2至12中任一
14.根据权利要求2至13中任一项所述的传感器(1700)，其中所述传感器(1700)包括至少两个参考传感器元件(1741、1743)和至少两个测量传感器元件(1731、1733)，
15.根据权利要求1至14中任一项所述的传感器(1700)，其中所述测量传感器元件(1732)和/或所述参考传感器元件(1742)包括用于与气体分子反应的催化层。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的传感器(1700)，其中所述测量传感器元件(1731、1732、1733)和/或所述参考传感器元件(1741、1742、1743)是没有氧化硅的。
17.根据权利要求2至16中任一项所述的传感器(1700)，其中所述传感器包括至少两个参考传感器元件和至少两个测量传感器元件；
18.一种用于制造一个或多个用于测量气体性质的传感器的方法，所述传感器特别是用于测量气体成分、特别是氢水平，其中所述方法包括：
19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括
20.根据权利要求18或19所述的方法，
...【技术特征摘要】
1.一种用于测量气体性质的传感器(1600)、特别是用于测量气体成分、更特别是氢水平的传感器(1600)，
2.根据权利要求1所述的传感器(1700)，
3.根据权利要求1或2所述的传感器(1600)，
4.根据权利要求3所述的传感器(1600)，
5.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器(1600)，
6.根据权利要求5所述的传感器(1600)，
7.根据权利要求1至6中任一项所述的传感器(1600)，
8.根据权利要求7所述的传感器(1600)，
9.根据权利要求1至8中任一项所述的传感器(1600)，
10.根据权利要求1至9中任一项所述的传感器(1600)，
11.根据权利要求1至10中任一项所述的传感器(1600)，
12.根据权利要求1至11中任一项所述的传感器(1600)，其中所述半导体管芯包括集成电路，并且其中所述测量传感器元件(1322)和/或所述参考传感器元件是所述集成电路的一部分。
13.根据权利要求2至12中任一项所述的传感器(1700)，其中所述测量传...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·I·佩雷斯·巴拉扎，M·奥尔德森，M·埃贝尔，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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