衬底和发光二极管制造技术

技术编号:42198766 阅读:16 留言:0更新日期:2024-07-30 18:45
本公开提供了一种衬底和发光二极管,属于光电子制造技术领域。该衬底包括基底和位于所述基底的表面的多个凸起,所述多个凸起间隔排布;所述凸起的高度为0.75μm至1.05μm,所述凸起的最大宽度为1.60μm至2.05μm,相邻两个所述凸起的间距为0.10μm至0.30μm。本公开能改善蓝宝石衬底上不同区域生长的外延层厚度均匀性较差的问题。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及光电子制造,特别涉及一种衬底和发光二极管


技术介绍

1、发光二极管(英文:light emitting diode,简称:led)作为光电子产业中极具影响力的新产品,具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点,广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。led的核心结构是外延片,外延片的制作对led的光电特性有着较大的影响。

2、相关技术中,gan基led通常采用蓝宝石衬底作为生长外延层的基底。蓝宝石衬底通常是图形化衬底,图形化衬底会采用刻蚀的方式,在用于生长外延层的表面形成具有周期性的图形结构,这些图形结构有利于提升后续生长的外延层的晶体质量。

3、生长外延层的过程中,由于蓝宝石衬底的边缘区域温度要低于中央区域的温度,因而蓝宝石衬底的边缘区域的生长外延层的难度更大。并且,对于图形化衬底,其上的图形结构通常在5μm左右,尺寸较大的图形结构也会进一步增大外延生长难度,因此,就会导致蓝宝石衬底上不同区域的外延生长速率不同的问题,进而导致后续生长的外延层的厚度均匀性较差。


<p>技术实现思本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种衬底,其特征在于,所述衬底包括基底(11)和位于所述基底(11)的表面的多个凸起(12),所述多个凸起(12)间隔排布;

2.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述凸起(12)的最大宽度与所述凸起(12)的高度的比值为1.52至2.70。

3.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述凸起(12)的最大宽度与所述凸起(12)的间距的比值为5.30至20.5。

4.根据权利要求1至3任一项所述的衬底,其特征在于,各所述凸起(12)的最大宽度均相同,各所述凸起(12)的高度均相同;或者,各所述凸起(12)的最大宽度不同,且各所述凸起(12)的高...

【技术特征摘要】

1.一种衬底,其特征在于,所述衬底包括基底(11)和位于所述基底(11)的表面的多个凸起(12),所述多个凸起(12)间隔排布;

2.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述凸起(12)的最大宽度与所述凸起(12)的高度的比值为1.52至2.70。

3.根据权利要求1所述的衬底,其特征在于,所述凸起(12)的最大宽度与所述凸起(12)的间距的比值为5.30至20.5。

4.根据权利要求1至3任一项所述的衬底,其特征在于,各所述凸起(12)的最大宽度均相同,各所述凸起(12)的高度均相同;或者,各所述凸起(12)的最大宽度不同,且各所述凸起(12)的高度不同。

5.根据权利要求1至3任一项所述的衬底,其特征在于,所述基底(11)的表面具有多个平行间隔的图形组,每个所述图形组均包括沿同一直线间隔排布的多个所述凸起(12);

【专利技术属性】
技术研发人员:陈张笑雄朱宸綦龚逸品
申请(专利权)人:京东方华灿光电苏州有限公司
类型:发明
国别省市:

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