【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,特别是涉及一种基板表面处理方法及基板结构。
技术介绍
1、在半导体元件制造
,电子产品向小型化、高性能化发展,高阶半导体元件的需求日益增长。在现有技术中,一般是通过缩小线路间距(trace space)来实现高阶半导体元件的小型化,从而实现降低基板的叠构层数或者减小封装尺寸(pkg size),以达到降低成本、提高效率的目的,但是缩小线路间距可能会增加线路之间的干扰,影响信号传输的质量,改变基板的叠构层数或者减小封装尺寸,可能会增加制造的复杂性和成本,更重要的是,上述这些缩小线路间距的方法往往会增加芯片在热制程中的溢锡风险,影响封装的良率和可靠性,因此,如何在不影响成本的前提下,如何有效降低溢锡风险,是当前技术面临的一个重要课题。
2、为了满足这一需求,制造商们采用了各种先进的封装技术,如系统级封装(sip)、多芯片模块(mcm)等,以实现高密度、高速度的信号传输。同时,基板表面处理技术也在不断进步,例如采用不同的表面处理方式,如浸金(enepig)、有机保焊膜(osp)等,以提高产品的可靠性和稳
...【技术保护点】
1.一种基板表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的基板表面处理方法,其特征在于:于所述阻焊层中形成所述通孔的方法包括湿法刻蚀、干法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的基板表面处理方法,其特征在于:形成所述处理层的工艺包括镍钯金工艺。
4.根据权利要求1所述的基板表面处理方法,其特征在于:所述处理层包括依次层叠的第一金属层、第二金属层以及第三金属层。
5.根据权利要求4所述的基板表面处理方法,其特征在于:形成所述第一金属层的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积;形成所述第二金属层的方法包括化学气相沉积
...【技术特征摘要】
1.一种基板表面处理方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的基板表面处理方法,其特征在于:于所述阻焊层中形成所述通孔的方法包括湿法刻蚀、干法刻蚀。
3.根据权利要求1所述的基板表面处理方法,其特征在于:形成所述处理层的工艺包括镍钯金工艺。
4.根据权利要求1所述的基板表面处理方法,其特征在于:所述处理层包括依次层叠的第一金属层、第二金属层以及第三金属层。
5.根据权利要求4所述的基板表面处理方法,其特征在于:形成所述第一金属层的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积;形成所述第二金属层的方法包括化学气相沉积、物理气相沉积;形成所述第三金属层的方法包括化学气相沉积...
【专利技术属性】
技术研发人员:储龙,曹传琦,陈建华,朱正杰,赵亮,
申请(专利权)人:矽品科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。