【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种薄膜晶体管，尤其涉及一种基于碳纳米管的薄膜晶体管。
技术介绍
薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT )是现代微电子技术中的 一种关 键性电子元件，目前已经被广泛的应用于平板显示器等领域。薄膜晶体管主 要包括基板，以及设置在基板上的栅极、绝缘层、半导体层、源极和漏极。 其中，栅极通过绝缘层与半导体层间隔设置，源极和漏极间隔设置并与半导 体层电连接。薄膜晶体管中的栅极、源极、漏极均为导电材料构成，该导电 材料一般为金属或合金。当在栅极上施加电压时，与栅极通过绝缘层间隔设 置的半导体层中会积累载流子，当载流子积累到一定程度，与半导体层电连 接的源极漏极之间将导通，从而有电流从源极流向漏极。现有技术中，薄膜晶体管中形成半导体层的材料为非晶硅、多晶硅或有 机半导体聚合物等(R. e. I. Schropp, B. Stannowski, J. K. Rath, New challenges in thin film transistor research, Journal of Non-Crystalline Solids, 2...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括： 一源极； 一漏极，该漏极与该源极间隔设置； 一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及 一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极绝缘设置； 其特征在于，所述半导体层包括一 碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包含多个首尾相连且择优取向排列的碳纳米管，至少部分碳纳米管的排列方向沿源极到漏极延伸。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：姜开利，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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