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本发明涉及一种薄膜晶体管，其包括：一源极；一漏极，该漏极与该源极间隔设置；一半导体层，该半导体层与该源极和漏极电连接；以及一栅极，该栅极通过一绝缘层与该半导体层、源极及漏极及绝缘设置；其中，所述半导体层包括一碳纳米管薄膜，该碳纳米管薄膜包含...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。

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