用于制造场效应半导体器件的方法技术

本发明专利技术公开了一种用于制造其中碳纳米管被用于沟道层（５）的场效应半导体器件例如场效应晶体管（６）的方法，该方法包括其中碳纳米管的物理或化学状态通过使碳纳米管经历等离子体处理而改变的步骤。采用该方法，能容易地制造具有电流路径例如沟道层的场效应半导体器件，所述电流路径例如沟道层中碳纳米管被均匀分散，该器件能够防止由碳纳米管的成束导致的器件特性下降。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于制造场效应半导体器件例如场效应晶体管的方法。
技术介绍
碳纳米管是Iijima于1991年发现的完全由碳构成的管状碳分子，碳纳米管的壁完全由6成员碳环(carbon 6-membered ring)理想地构成。如图3A所示，认为单壁碳纳米管42是通过将矩形石墨片(graphene sheet)41的边缘接合在一起而形成的无缝圆筒。多壁碳纳米管由具有不同直径的多个圆筒形碳纳米管构成，这些碳纳米管以套筒方式叠于彼此上。如图3B所示，除了直径以外，根据接合石墨片的边缘的方向，即6成员碳环相对于该管的圆周方向的取向，碳纳米管分为具有不同空间螺旋特性(chirality)的各种碳纳米管，例如手性(chiral)碳纳米管43、锯齿形(zigzag)碳纳米管44、扶手椅形(armchair)碳纳米管45等。通过利用化学气相沉积(CVD)工艺在源极/漏极电极之间随机生长单壁碳纳米管能够制造具有由单壁碳纳米管构成的沟道层的场效应晶体管。(参见例如APPLIED PHYSICS LETTERS 82，E.S.Snow et al，(2003)，2145)具体地，作为碳源的甲烷气体被本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造在电流路径中使用碳纳米管的场效应半导体器件的方法，　　　　该方法包括使所述碳纳米管经历等离子体处理从而改变所述碳纳米管的物理或化学状态的步骤。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-12 320709/2003;JP 2003-9-26 335051/20031.一种用于制造在电流路径中使用碳纳米管的场效应半导体器件的方法，该方法包括使所述碳纳米管经历等离子体处理从而改变所述碳纳米管的物理或化学状态的步骤。2.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其中所述等离子体处理在形成由所述碳纳米管构成的所述电流路径之后进行。3.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其使用单壁碳纳米管作为所述碳纳米管。4.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其使用RF等离子体作为所述等离子体。5.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其使用氧或氢作为用于所述等离子体处理的等离子体源。6.如权利要求1所述的用于制造场效应半导体器件的方法，其中由所述碳纳米管构成的所述电流路径通过将所述碳纳米管的分散液应用到预定图案并干燥所应用的分散体而形成。7.如权利要求6所...

【专利技术属性】
技术研发人员：白石诚司，阿多诚文，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]