发光二极管及发光二极管制作方法技术

本公开公开了一种发光二极管及发光二极管制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括：依次层叠第一半导体层、多量子阱层、Mg阻挡层和第二半导体层，所述Mg阻挡层与所述第一半导体层的掺杂类型相同，所述第二半导体层为Mg掺杂层。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，特别涉及一种发光二极管及发光二极管制作方法。

技术介绍

1、红光微型(micro)发光二极管(light emiting diode，led)是alinp基的led器件。

2、红光微型发光二极管包括第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，第二半导体层为mg掺杂层。然而，第二半导体层的mg扩散很严重，mg扩散到多量子阱层会发生大量的非辐射复合，小电流下使用时造成光效和冷热比严重下降。

技术实现思路

1、本公开实施例提供了一种发光二极管及发光二极管制作方法。所述技术方案如下：

2、第一方面，本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括：

3、依次层叠第一半导体层、多量子阱层、mg阻挡层和第二半导体层，所述mg阻挡层与所述第一半导体层的掺杂类型相同，所述第二半导体层为mg掺杂层。

4、可选地，所述mg阻挡层与所述第一半导体层均为n型掺杂。

5、可选地，所述mg阻挡层为n型(alxga1-x)0.5in0.5p，0.5≤x≤1。...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述Mg阻挡层(12)为N型(AlxGa1-x)0.5In0.5P，0.5≤x≤1。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述Mg阻挡层(12)包括多个子层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，沿从所述多量子阱层(11)到所述第二半导体层(13)的方向，所述多个子层的掺杂浓度逐渐增加。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，沿从所述多量子阱层(11)到所述第二半导体层(13)的方向，所述多个子层中第n...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述mg阻挡层(12)为n型(alxga1-x)0.5in0.5p，0.5≤x≤1。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述mg阻挡层(12)包括多个子层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，沿从所述多量子阱层(11)到所述第二半导体层(13)的方向，所述多个子层的掺杂浓度逐渐增加。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，沿从所述多量子阱层(11)到所述第二半导体层(13)的方向，所述多个子层中第n层的掺杂浓度为最后一个子层的掺杂浓度/n*n，n为子层数量。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其特征在于，沿从所述多...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世俊，赵秀梅，宋木，李彤，邢振远，王洪占，
申请(专利权)人：京东方华灿光电苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：