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本公开公开了一种发光二极管及发光二极管制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括：依次层叠第一半导体层、多量子阱层、Mg阻挡层和第二半导体层，所述Mg阻挡层与所述第一半导体层的掺杂类型相同，所述第二半导体层为Mg掺杂层。...
该专利属于京东方华灿光电（苏州）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方华灿光电（苏州）有限公司授权不得商用。

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