【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及导热材料,具体涉及一种超高导热石墨膜及其制备方法。
技术介绍
1、随着科技的不断进步,特别是在航天技术、高端电子工业、led用芯片材料等领域的飞速发展,电子设备元器件的集成度越来越高,其产生的热耗及热流密度也呈现出大幅度的增长。这种高热耗和高热流密度对电子设备的稳定性和可靠性构成了严峻的挑战,特别是在高功率电子器件中,散热问题已成为制约其性能提升和寿命延长的关键因素。
2、在现有的技术中,石墨材料因其独特的物理和化学性质,成为了潜在的优良散热材料。石墨是一种由碳元素组成的非金属矿物,具有极高的导热性和导电性,同时还具备良好的热稳定性和化学稳定性。通过将聚酰亚胺(pi)在1200~1300℃真空条件下碳化、并经2800~3200℃高温石墨化处理可制成人工石墨膜。这种方法制备出的石墨膜导热性能优异,且制备工艺相对简单、周期短、成本低,极大地促进了石墨作为散热材料的发展。但在实际制备中,聚酰亚胺薄膜在高温处理过程中可能发生氧化、裂解等反应,导致石墨膜的性能下降;随着聚酰亚胺薄膜厚度的增加,容易产生结构不均匀的石墨膜,
...【技术保护点】
1.一种超高导热石墨膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中聚酰亚胺薄膜的厚度为38-300μm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中真空条件为保持高温炉内压力低于15Pa。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中以4-8℃/min升温至550-650℃,保温0.5-1.5h。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中以3-5℃/min升温至1500-1600℃,保温0.5-2h。
6.根据权利要求1所述
...【技术特征摘要】
1.一种超高导热石墨膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中聚酰亚胺薄膜的厚度为38-300μm。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中真空条件为保持高温炉内压力低于15pa。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中以4-8℃/min升温至550-650℃,保温0.5-1.5h。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中以3-5℃/min升温至1500-1600℃,保温0.5-2h。...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭志军,朱艳,吴建祥,杨兰贺,黄国伟,陈仁政,
申请(专利权)人:苏州鸿凌达电子科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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