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液晶显示屏的制备方法技术

技术编号:4215930 阅读:162 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种液晶显示屏的制备方法,其包括以下步骤:提供一基体;形成平行且间隔设置的多个碳纳米管带状结构于上述基体的表面,该碳纳米管带状结构中的碳纳米管沿该碳纳米管带状结构的延伸方向排列;形成一固定层于所述基体表面并覆盖多个碳纳米管带状结构,制得一第一基板;重复上述的制备步骤,进一步制得一第二基板;设置一液晶层于所述第一基板与第二基板的固定层之间,且第一基板与第二基板的碳纳米管带状结构中的碳纳米管的排列方向相互垂直,从而形成所述的液晶显示屏。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种,尤其涉及一种采用碳纳米管的 。
技术介绍
液晶配向技术是决定液晶显示屏优劣的关键技术之一 ,因为液晶配向技 术的好坏会直接影响最终液晶显示屏的品质。高质量的液晶显示屏要求液晶 有稳定和均匀的初始排列,而具有诱导液晶定向排列作用的薄层称为配向层。请参阅图1中所示的液晶显示屏100,其包括第一基体104、第二基体112 及夹在第一基体104和第二基体112之间的液晶层118。所述第一基体104与第二基体112相对设置。所述液晶层118包括多个长棒 状的液晶分子1182。所述第一基体104靠近液晶层118的表面依次设置一第一 透明电极层106和一第一配向层108,且第一基体104的远离液晶层118的表面 设置一第一偏光片102。所述第二基体112靠近液晶层118的表面依次设置一第 二透明电极层114和一第二配向层116,且第二基体112的远离液晶层118的表 面设置一第二偏光片110。所述第一配向层108靠近液晶层118的表面形成有多个相互平行的第一沟 槽1082。所述第二配向层116靠近液晶层118的表面形成有多个相互平行的第 二沟槽1162。所述第一沟槽1082和第二沟槽1162的延伸方向相互垂直,从而 可对液晶层118中的液晶分子1182进行定向,也就是使靠近第一沟槽1082和第 二沟槽1162的液晶分子1182分别沿着第一沟槽1082和第二沟槽1162的方向定 向排列。从而使得液晶分子1182的排列由上而下自动旋转90度。目前已知供液晶显示屏使用的配向层材料有聚苯乙烯及其衍生物、聚酰 亚胺、聚乙烯醇、聚酯、环氧树脂、聚胺酯、聚硅烷等,最常见的则是聚酰 亚胺。这些材料经磨擦法,倾斜蒸镀SiOx膜法和对膜进行微沟槽处理法(请参 见"Atomic-beam alignment of inorganic materials for liquid-crystal displays" , R Chaudhari, et al., Nature, vol 411, p56 (2001 ))等方法处理后,可形成多个沟槽,该多个沟槽可使液晶分子定向排列。现有技术中的采用磨擦法制备配向层的方法主要包括以下步骤 首先,在第二透明电极层114的内表面上涂覆一层配向材料。该配向材料 通常选自聚酰亚胺。然后,用绒布滚筒进行刷磨,使聚酰亚胺表面形成多个 微小沟槽1162,从而形成配向层116。这种依靠绒布滚筒对配向材料进行刷磨的接触式制造方法的操作过程较 为复杂,而且在操作过程中容易引入大量的静电,容易对使用上述液晶显示 屏100的液晶显示屏中的薄膜晶体管元件造成损坏;产生大量的粉尘,需要进 行额外的清洗步骤,以免影响所制成的配向层的品质。而且,所采用的绒布的寿命有限,需要经常更换。有鉴于此,确有必要提供一种制备工艺简单的。
技术实现思路
一种,其包括以下步骤提供一基体;形成平行 且间隔设置的多个碳纳米管带状结构于上述基体的表面,该碳纳米管带状结 构中的碳纳米管沿该碳纳米管带状结构的延伸方向排列;形成 一 固定层于所 述基体表面并覆盖多个碳纳米管带状结构,制得一第一基板;重复上述的制 备步骤,进一步制得一第二基板;设置一液晶层于所述第一基板与第二基板 的固定层之间,且第一基板与第二基板的碳纳米管带状结构中的碳纳米管的 排列方向相互垂直,vt人而形成所述的液晶显示屏。与现有技术相比较,本技术方案提供的具有以下 优点其一,由于作配向层的碳纳米管层本身具有很多均匀的微小间隙,从 而使得形成在碳纳米管层上的固定层具有微小沟槽,该微小沟槽可对液晶分 子进行配向,从而无需进行额外的工艺使配向层具有微小沟槽,降低了配向 层的制作成本,简化了制作工艺。其二,由于将固定层覆盖于所述碳纳米管 层的表面,该固定层能较好地将碳纳米管层固定于所述基体的表面,从而形 成一配向层。该配向层与液晶材料接触时或与外界长时间接触时不脱离,故 采用固定层可将配向层较好地固定于基体的表面。进而采用上述的配向层的 液晶显示屏具有较好的配向品质。附图说明图1是现有技术的液晶显示屏的立体结构示意图。图2是本技术方案实施例的的流程图。图3是本技术方案实施例的的液晶显示屏的立体结构示意图。 具体实施例方式以下将结合附图详细说明本技术方案的。 请参阅图2及图3,本技术方案实施例提供了一种液晶显示屏300的制 备方法,其主要包括以下步骤步骤一提供一第一基体322。所述第一基体322的材料可由透明材料,如玻璃、石英、金刚石或塑料 等硬性材料或柔性材料形成。具体地,所述柔性基体的材料可以为三乙酸纤 维素(Cellulose Triacetate, CTA)等柔性材料。其中,本实施例的第一基体322为一CTA基体,该CTA基体的厚度为 2毫米,宽度为20厘米,长度为30厘米。步骤二形成多个平行且间隔设置的第一碳纳米管带状结构324a于上述 第一基体322的表面,该第一碳纳米管带状结构324a中的碳纳米管沿该第一 碳纳米管带状结构324a的延伸方向排列。首先,提供一碳纳米管阵列。本实施例中,优选地,所述^灰纳米管阵列为一超顺排^暖纳米管阵列,该 超顺排碳纳米管阵列的制备方法采用化学气相沉积法,其具体步骤包括提 供一平整基底,该基底可选用P型或N型硅基底,或选用形成有氧化层的硅 基底,本实施例优选为采用4英寸的硅基底;在基底表面均匀形成一催化剂 层,该催化剂层材料可选用铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)或其任意组合的合 金之一;将上述形成有催化剂层的基底在700 900。C的空气中退火约30分钟 90分钟;将处理过的基底置于反应炉中,在保护气体环境下加热到500-740 °C,然后通入碳源气体反应约5~30分钟,生长得到超顺排碳纳米管阵列, 其高度为200 400微米。该超顺排碳纳米管阵列为多个彼此平行且垂直于基 底生长的碳纳米管形成的纯碳纳米管阵列。通过上述控制生长条件,该超顺 排碳纳米管阵列中基本不含有杂质,如无定型碳或残留的催化剂金属颗粒等。该碳纳米管阵列中的碳纳米管彼此通过范德华力紧密接触形成阵列。本技术方案实施例提供的碳纳米管阵列为单壁碳纳米管阵列、双壁碳納米管阵列或多壁碳纳米管阵列。本实施例中碳源气可选用乙炔、乙烯、曱烷等化学性质较活泼的碳氢化合物,本实施例优选的碳源气为乙炔;保护气体为氮气或惰性气体,本实施 例优选的保护气体为氩气。可以理解,本实施例提供的碳纳米管阵列不限于上述制备方法。也可为 石墨电极恒流电弧放电沉积法、激光蒸发沉积法等。其次,对该碳纳米管阵列进行等间隔切割。对该碳纳米管阵列进行等间隔切割后,形成多个等间隔排列的带状碳纳 米管子阵列。该等间隔排列的碳纳米管子阵列的间隔为10微米 200微米。上述切割碳纳米管阵列的方法为激光束扫描切割或电子束扫描切割。切 割的过程可以在大气环境或其它含氧的环境下进行。本实施例中,优选地, 采用激光束扫描切割碳纳米管阵列,所用的激光束的宽度为10微米 200微 米,激光束的功率为10~50瓦,扫描速度为10~1000毫米/分钟。再次,采用 一拉伸工具从该碳纳米管阵列中拉取获得多个第 一碳纳米管 带状结构324a。采用 一拉伸工具从碳纳米管阵列中拉取获得多个第 一碳纳米管带状结 构324a。其具体包括以本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种液晶显示屏的制备方法,其包括以下步骤: 提供一基体; 形成平行且间隔设置的多个碳纳米管带状结构于上述基体的表面,该碳纳米管带状结构中的碳纳米管沿该碳纳米管带状结构的延伸方向排列; 形成一固定层于所述基体表面并覆盖多个碳 纳米管带状结构,制得一第一基板; 重复上述的制备步骤,进一步制得一第二基板; 设置一液晶层于所述第一基板与第二基板的固定层之间,且第一基板与第二基板的碳纳米管带状结构中的碳纳米管的排列方向相互垂直,从而形成所述的液晶显示屏。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:付伟琦刘亮姜开利范守善
申请(专利权)人:清华大学鸿富锦精密工业深圳有限公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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