太阳能电池制造技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一本征隧道层和一碳纳米管结构。所述硅片衬底包括相对设置的一第一表面和一第二表面。所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，且与该硅片衬底的第一表面欧姆接触。所述本征隧道层设置于所述硅片衬底的第二表面，且与该硅片衬底的第二表面接触。所述碳纳米管结构设置于所述本征隧道层的表面，且与该本征隧道层的表面接触。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种基于碳纳米管的太阳能电池。
技术介绍
太阳能是当今最清洁的能源之一，取之不尽、用之不竭。太阳能的利用 方式包括光能-热能转换、光能-电能转换和光能-化学能转换。太阳能电池是 光能-电能转换的典型例子，是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。根 据半导体光电转换材料种类不同，太阳能电池可以分为硅基太阳能电池(请参见太阳能电池及多晶硅的生产，材料与冶金学报，张明杰等，vo16, p33-38 (2007))、砷化镓太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等。目前，太阳能电池以硅基太阳能电池为主。请参阅图1,现有技术中的 太阳能电池30包括一背电极32、 一硅片衬底34、 一本征隧道层36、 一掺杂 硅层38和一上电极40。所述硅片^]"底34包括相对设置的一第一表面341 和一第二表面342。所述背电极32设置于所述硅片衬底34的第一表面341， 且与该珪片衬底34的第一表面341欧姆接触。所述本征隧道层36设置于所 述硅片衬底34的第二表面342，且与该硅片衬底34的第二表面342接触。 所述掺杂硅层38设置于所述本征隧道层36的表面361,且与该本征隧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其包括依次设置的一背电极、一硅片衬底及一本征隧道层，其特征在于，所述太阳能电池进一步包括一碳纳米管结构设置于上述本征隧道层的表面，上述本征隧道层设置于所述硅片衬底和碳纳米管结构之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海林，姜开利，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]