太阳能电池制造技术

本发明专利技术涉及一种太阳能电池，该太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层和一上电极。所述硅片衬底包括相对设置的一第一表面和一第二表面。所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，且与该硅片衬底第一表面欧姆接触。所述硅片衬底的第二表面设置有多个间隔设置的凹孔。所述掺杂硅层形成于所述硅片衬底第二表面的凹孔的内表面。所述上电极设置于所述硅片衬底的第二表面。该上电极包括一碳纳米管复合结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种太阳能电池，尤其涉及一种基于碳纳米管的太阳能电池。
技术介绍
太阳能是当今最清洁的能源之一，取之不尽、用之不竭。太阳能的利用 方式包括光能-热能转换、光能-电能转换和光能-化学能转换。太阳能电池是 光能-电能转换的典型例子，是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。根 据半导体光电转换材料种类不同，太阳能电池可以分为硅基太阳能电池(请参见太阳能电池及多晶硅的生产，材料与冶金学报，张明杰等，vo16， p33-38 (2007))、砷化镓太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等。目前，太阳能电池以硅基太阳能电池为主。请参阅图l,为现有技术中 的硅基太阳能电池30包含一背电极32、 一硅片衬底34、 一掺杂硅层36和 一上电极38。在硅基太阳能电池中，作为光电转换的材料的硅片衬底通常 采用单晶硅制成。因此，要获得高转换效率的硅基太阳能电池，就需要制备 出高纯度的单晶硅。所述背电极32设置于所述硅片衬底34的第一表面341， 且与该硅片衬底34的第一表面341欧姆接触。所述硅片衬底34的第二表面 343设置有多个间隔设置的凹孔342。所述掺杂硅层36形成于所述凹孔342 的内表面3本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，其包括：　一硅片衬底，该硅片衬底包括相对设置的一第一表面和一第二表面，该硅片衬底的第二表面设置有多个间隔设置的凹孔；　一背电极，该背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，且与该硅片衬底第一表面欧姆接触；　一掺杂 硅层，该掺杂硅层形成于所述硅片衬底第二表面的凹孔的内表面；　一上电极，该上电极设置于所述硅片衬底的第二表面；　其特征在于，所述上电极包括一碳纳米管复合结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海林，姜开利，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]