【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种硅化铁纳米线的制备方法，其具体包括以下步骤： 提供一生长装置，且该生长装置包括一加热炉以及一反应室； 提供一定量的铁粉与一生长基底，并将该铁粉与生长基底间隔置入反应室内； 向反应室通入硅源气体，并加热至６００～１２００ ℃，在生长基底上生长得到硅化铁纳米线。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙海林，姜开利，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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