【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容总体上涉及衬底处理系统，更具体而言，本公开内容涉及用于平衡流向衬底处理系统的多个站的气体流量的阀系统。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的范围内的当前指定的专利技术人的工作以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、衬底处理系统通常包含多个站(也称为处理室或处理模块)，其在例如半导体晶片之类的衬底上执行沉积、蚀刻和其他处理。可以在衬底上执行的处理的示例包含化学气相沉积(cvd)处理、化学增强等离子体气相沉积(cepvd)处理、等离子体增强化学气相沉积(pecvd)处理、溅射物理气相沉积(pvd)处理、原子层沉积(ald)和等离子体增强ald(peald)。可以在衬底上执行的处理的额外示例包含但不限于蚀刻(例如化学蚀刻、等离子体蚀刻、反应性离子蚀刻、原子层蚀刻(ale)、等离子体增强ale(peale)等)和清洁处理。
3、在处理期间，衬底布置在例如站里的基座的衬底支撑件上。在沉积期间，包含一...
【技术保护点】
1.一种衬底处理系统，其包含：
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述流量控制设备包含二通阀，且其中在所述N个阀系统中的每一个中的所述二通阀的流动系数被校准以平衡在所述N个站中的所述惰性气体的所述流量。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述流量控制设备包含流通式带盖与孔组件，且其中在所述流通式带盖与孔组件中的孔被设计成用于平衡所述N个站中的所述惰性气体的所述流量。
4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含控制器，其被配置成校准所述N个阀系统中的每一个中的所述流量控制设备，以平衡所述N个站中的所述惰性气体的所述
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种衬底处理系统，其包含：
2.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述流量控制设备包含二通阀，且其中在所述n个阀系统中的每一个中的所述二通阀的流动系数被校准以平衡在所述n个站中的所述惰性气体的所述流量。
3.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述流量控制设备包含流通式带盖与孔组件，且其中在所述流通式带盖与孔组件中的孔被设计成用于平衡所述n个站中的所述惰性气体的所述流量。
4.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含控制器，其被配置成校准所述n个阀系统中的每一个中的所述流量控制设备，以平衡所述n个站中的所述惰性气体的所述流量。
5.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含:
6.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其还包含:
7.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述歧管块体包含第二出口，其中所述阀中的一个被配置成在所述处理的步骤期间选择性地将一或多个气体从所述歧管块体转向通过所述第二出口。
8.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述n个阀系统中的每一个中的所述流量控制设备被配置成控制以多个流速供应至所述n个站中的每一个的所述惰性气体的所述流量。
9.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述n个阀系统中的每一个中的所述流量控制设备被配置成控制以第一流速不间断地供应以及以大于所述第一流速的第二流速周期性地供应至所述n个站中的每一个的所述惰性气体的所述流量。
10.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述阀包含四通阀以及二通阀，且其中所述流量控制设备包含二通阀。
11.根据权利要求1所述的衬底处理系统，其中所述阀包含四通阀以及二通阀，且其中所述流量控制设备包含流通式带盖与孔组件。
...【专利技术属性】
技术研发人员：迈克尔·菲利普·罗伯茨，巴拉斯·库马尔·施萨拉曼，瑞安·布拉基埃，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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