透射式滤波器及其制备方法、EUV光刻机技术

本发明专利技术公开了一种透射式滤波器及其制备方法、EUV光刻机。透射式滤波器包括一个或多个滤波器单元，每个滤波器单元包括：衬基框架，包围中心开口；支撑层，支撑在所述衬基框架上；滤波层，设置在所述支撑层上，其中，所述滤波层包括形成在所述中心开口的区域上的周期性滤波阵列，所述周期性滤波阵列以包围滤波开口的滤波结构为基础单元进行周期性排列。根据本发明专利技术的透射式滤波器，可以实现即插即用，简化了EUV光刻机光源系统；可以实现中红外辐射波长的超高效率抑制，并能够在很大程度透过一同入射的EUV光波；微纳结构牢固，抗辐射性能好，具有较大的工艺容差，适用于EUV波段。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种透射式滤波器、包括该透射式滤波器的euv光刻机、以及制备该透射式滤波器的方法。

技术介绍

1、极紫外光刻(euvl)采用13.5nm的极紫外(euv)光源，被应用于7nm及以下的芯片量产光刻。euv光源是极紫外光刻机最为核心的分系统之一，也是euv光刻机实现稳定运行的最大技术难点。激光等离子体(lpp)是目前产生商用极紫外光源的主流方案。

2、lpp-euv的基本原理是高功率密度、高重频、中红外的co2激光器(波长10.6微米)照射液滴锡靶，并与液滴锡靶相互作用，使靶材吸收层被加热气化并产生等离子体。逆轫致吸收导致等离子体被持续加热，辐射出包含13.5nm的复合光。然后使用大角度、反射方式、大口径的收集镜将euv辐射收集到中间聚焦位置。为了满足大批量生产的要求，中频的euv光源功率应为250w或更高，其中心波长为13.5nm、带宽约为2％。

3、但是，收集镜对波长为10.6μm的中红外辐射也具有高反射系数，与euv辐射一起，co2激光器发射的中红外辐射也会被收集镜反射，并被收集到中间聚焦位置，从而进入euv光刻机照本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种透射式滤波器，包括一个或多个滤波器单元，每个滤波器单元包括：

2.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述滤波开口为正方形。

3.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述周期性滤波阵列的周期小于或等于1000nm。

4.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述透射式滤波器包括多个滤波器单元，所述多个滤波器单元周期性排列形成周期性滤波器单元阵列，所述多个滤波器单元的衬基框架一体形成，所述多个滤波器单元的支撑层一体形成，所述多个滤波器单元的滤波层一体形成。

5.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述衬基框架由硅片制成，...

【技术特征摘要】

1.一种透射式滤波器，包括一个或多个滤波器单元，每个滤波器单元包括：

2.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述滤波开口为正方形。

3.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述周期性滤波阵列的周期小于或等于1000nm。

4.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述透射式滤波器包括多个滤波器单元，所述多个滤波器单元周期性排列形成周期性滤波器单元阵列，所述多个滤波器单元的衬基框架一体形成，所述多个滤波器单元的支撑层一体形成，所述多个滤波器单元的滤波层一体形成。

5.根据权利要求1所述的透射式滤波器，其中，所述衬基框架由硅片制成，所述支撑层由氮化硅或硅组成，所述滤波层由钼金属组成。

6.根据权利要求1所述的透射式滤波器，还包括形成在所述衬基框架下表面的覆盖层，所述覆盖层由氮化硅组成。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的透射式滤波器，其中，所述透射式滤波器在所述滤波开口的区域内完全镂空。

8.根据权利要求7所述的透射式滤波器，其中，

9.根据权利要求8所述的透射式滤波器，其中，每个支撑结构包括形成封闭的多边形形状以在其中限定支撑开口的多个支撑筋，所述滤波结构在相应的支撑筋的上方和两侧包围所述相应的支撑筋，所述支撑筋的宽度小于或等于200nm。

10.根据权利要求9所述的透射式滤波器，其中，所述滤波结构从邻接所述相应的支撑筋的表面到远离所述相应的支撑筋的自由表面的沉积厚度为5到30nm。

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【专利技术属性】
技术研发人员：吴星涛，杨哲，
申请(专利权)人：四川禾丰光芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：